[发明专利]一种太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

底电池；

位于所述底电池第一侧的第一隧穿结层；

位于所述第一隧穿结层背离所述底电池一侧的背反射层；

位于所述背反射层背离所述第一隧穿结层一侧的中电池；

位于所述中电池背离所述底电池一侧的第二隧穿结层；

位于所述第二隧穿结层背离所述中电池一侧的顶电池，所述顶电池包括顶电池背场层、顶电池基区、顶电池发射区和顶电池窗口层；

其中，所述顶电池背场层包括层叠的第一背场层和第二背场层，所述第一背场层和所述第二背场层的带隙高于所述顶电池基区的带隙，所述第二背场层的P型掺杂浓度大于所述第一背场层和所述顶电池基区的P型掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一背场层为AlGaAs层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一背场层为C掺杂的AlGaAs层。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一背场层的厚度取值范围为10nm～50nm，包括端点值。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一背场层中Al组分与Al组分和Ga组分之和的比例取值范围为0.3～0.8，包括端点值；所述第一背场层中的P型掺杂浓度取值范围为1E18～5E19，包括端点值。

6.根据权利要求1～5任一项所述的太阳能电池，，其特征在于，所述第二背场层为AlGaInP层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二背场层为Zn掺杂的AlGaInP层。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二背场层的厚度取值范围为10nm～50nm，包括端点值。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二背场层中Al组分与Al组分和Ga组分之和的比例取值范围为0.2～0.7，包括端点值。

10.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二背场层中的P型掺杂浓度取值范围为1E17～1E18，包括端点值。