[发明专利]一种基于毫米波压控振荡器的相控阵列发射芯片有效
申请号: | 202010054492.8 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111277280B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 龚亚军 | 申请(专利权)人: | 长沙瑞感电子科技有限公司 |
主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 杨保刚 |
地址: | 410005 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 毫米波 压控振荡器 相控阵 发射 芯片 | ||
本发明公开了一种基于毫米波压控振荡器的相控阵列发射芯片,属于毫米波发射芯片技术领域,包括电压信号输入端、压控振荡器、相位控制信号输入端、功率分配网络、若干个数字移项器、若干个功率放大器和若干个输出端;所述电压信号输入端与所述压控振荡器电连接,所述压控振荡器与功率分配网络电连接,所述功率分配网络与数字移项器电连接,每个数字移项器与一个功率放大器电连接,每个功率放大器与一个输出端电连接,所述数字移项器均与所述相位控制信号输入端电连接;本发明直接采用压控振荡器产生超带宽毫米波信号,架构更为简洁,减小了芯片面积,降低了芯片功耗。
技术领域
本发明涉及毫米波发射芯片技术领域,具体涉及一种基于毫米波压控振荡器的相控阵列发射芯片。
背景技术
由于低频更容易设计,因此现有的毫米波发射芯片为了得到超带宽毫米波信号,一般采用低频率源,倍频到高频发射的架构,例如要产生超带宽毫米波信号,其工作频段为72-80GHz,带宽为8GHz的信号,一般采用的方案为:采用低频源,其工作频段为18-20GHz,带宽为2GHz,再乘以4倍频得到该信号。由于低频源带宽为2GHz,很容易通过设计得到,但该种架构复杂,而现有的毫米波发射芯片也没有直接获得超带宽毫米波信号。
发明内容
本发明的目的在于:为了解决上述问题,本发明提供了一种基于毫米波压控振荡器的相控阵列发射芯片。
本发明采用的技术方案如下:
一种基于毫米波压控振荡器的相控阵列发射芯片,包括电压信号输入端、压控振荡器、相位控制信号输入端、功率分配网络、若干个数字移项器、若干个功率放大器和若干个输出端;所述电压信号输入端与所述压控振荡器电连接,所述压控振荡器与功率分配网络电连接,所述功率分配网络与数字移项器电连接,每个数字移项器与一个功率放大器电连接,每个功率放大器与一个输出端电连接,所述数字移项器均与所述相位控制信号输入端电连接。
进一步的,所述压控振荡器产生超宽带毫米波信号,所述压控振荡器为考毕兹压控振荡器,输出差分信号至功率分配网络。
进一步的,所述压控振荡器的具体电路如下:
电源VDD一端连接电源,所述电源VDD的另一端分别连接电感L1的一端、电阻Rd的一端和电感L4的一端,所述电感L1的另一端同时连接输出端VON的一端和晶体管M1的漏极,所述晶体管M1的栅极同时连接电感L2的一端、可变电容Vcap1的一端和电容C1的一端,所述晶体管M1的源极同时连接电容C1的另一端、电容C2的一端和电感L3的一端,所述电感L3的另一端同时连接电感L6的一端和地GND,所述电感L2的另一端同时连接所述电阻Rd的另一端和电感L5的一端;所述可变电容Vcap1的另一端同时连接电阻Rc的一端和可变电容Vcap2的一端,所述电阻Rc的另一端连接电压信号输入端Vcon;
所述电感L5的另一端同时连接可变电容Vcap2的另一端、电容C3的一端和晶体管M2的栅极,所述晶体管M2的漏极分别连接电感L4的另一端和输出端VOP的一端,所述晶体管M2的源极同时连接电容C3的另一端、电容C4的一端和电感L6的另一端,所述电容C4的另一端连接电容C2的另一端;
所述输出端VON的另一端和输出端VOP的另一端连接所述功率分配网络。
进一步的,所述压控振荡器的输出频率范围为75-82GHz,线性调频带宽为7GHz,调谐电压为0-1.5V,输出相位噪声在输出频率范围内为-94~96dBc/Hz@(1MHz)。
进一步的,还包括输出端MCC和输出端Vcoo,所述功率分配网络将所述压控振荡器的输出功率分配为五路,三路分别输出至三个功率放大器,一路通过输出端MCC连接外部芯片,一路通过输出端Vcoo连接外部芯片。
进一步的,所述功率分配网络的具体结构为:
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