[发明专利]静电测量设备及静电测量方法

说明书

本发明公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量设备，包括：支撑部顶部设有多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；第二电性测量件卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；测量单元第一端电性连接各第一电性测量件第二端，其第二端电性连接第二电性测量件，其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流。本发明还公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量方法。通过本发明提供的静电测量设备/测量方法能够在半导体生产中及时发现晶圆静电，并能够通过本发明提供的静电测量设备将晶圆静电接地导出，避免晶圆静电造成后续工艺缺陷，进而提高半导体产品的良品率，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于半导体晶圆的静电测量设备。本发明还涉及一种利用所述静电测量设备的静电测量方法。

背景技术

在晶圆生产过程中由于生产设备的特性在生产过程中会产生大量静电，使晶圆处于带电状态。如果工艺结束后静电没有被有效释放，晶圆本身会是一个带电状态，在后续的生产工艺中，这种带电状态会影响正常的工艺进行，产生一定的缺陷。例如在生产工艺过程中离子注入机台由于使用高剂量的等离子体注入使晶圆的带电，这种带电现象会在钨连接孔化学机械研磨的过程从导致研磨液静电吸附团聚产生小球状缺陷，影响产品的良品率。因此，需要对晶圆生产过程中的静电进行测量机释放，避免由于晶圆静电造成产品的缺陷。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种用于半导体晶圆的静电测量设备。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种用于半导体晶圆的静电测量方法。

为解决上述技术问题，本发明提供用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量设备，包括：

支撑部，其顶部设有多个第一电性测量件；

可选择的，该支撑部可以集成于生产机台，利用生产机台的可制成平面作为支撑部。或，独立设置支撑部，比如框架结构的支撑架。

多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；

半导体晶圆各晶粒测试触点的位置能由晶圆设计文件中获得，因此能够获得该晶圆具有测试触点的数量和分布位置，进而确定第一电性测量件的数量和分布位置。

第二电性测量件，其卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；

测量单元，其第一端电性连接各第一电性测量件第二端，其第二端电性连接第二电性测量件，其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流；

其中，多个第一电性测量件对半导体晶圆形成支撑，多个第一电性测量件与支撑部绝缘。

可选择的，进一步改进所述静电测量设备，还包括：控制件，其第一端电性连接测量单元第一端，其第二端电性连接地。

可选择的，进一步改进所述静电测量设备，所述支撑部包括支撑台和载物台；

支撑台，其为框架结构，用于支撑固定载物台；

载物台，其为绝缘材料制造，其顶面为平面，其用于支撑各第一电性测量件，第一电性测量件能在其顶面移动位置。

可选择的，载物台为非绝缘材料，可以在第一电性测量件和载物台之间增加绝缘固定件，比如绝缘固定橡胶垫，既使第一电性测量件和载物台之间绝缘，又使第一电性测量件固定对准测试触点。

可选择的，进一步改进所述静电测量设备，所述第一电性测量件的数量大于等于13。