[发明专利]NAND闪存的字线偏置电压生成电路

说明书

本发明涉及一种NAND闪存的字线偏置电压生成电路，包括：高电压生成部，其用于产生高电压；擦除控制逻辑，其用于根据区块选择信号输出擦除电压及选择信号；电平转换器，其用于转换所述高电压生成部的电压以产生编程模式的字线电压；字线电压控制部，当操作模式未处于擦除模式时，其用于通过第一高电压开关选择所述电平转换器的输出，以作为字线偏置电压进行输出；以及第二高电压开关，其用于在擦除模式下根据所述擦除控制逻辑的控制将擦除电压作为字线偏置电压进行输出。

技术领域

本发明涉及一种NAND闪存的字线偏置电压生成电路，尤其涉及一种能够提供稳定的字线偏置电压的NAND闪存的字线偏置电压生成电路。

背景技术

通常，闪存为一种在断电后仍将数据保存的非易失性存储器。由于其体积小、轻便轻的同时，与分支介质或光学介质相比，具有较强的抗机械冲击、耐直射光线、耐高温及耐潮湿的特性，因此常被用作便携式存储装置。

闪存大致被分为NAND型闪存和NOR型闪存。在NAND型闪存中以区块为单位设置地址线，而在NOR型闪存中以单元(cell)为单位设置地址线。

因此，NAND型闪存虽然具有只能区块存取的缺点，但与NOR型闪存相比，可以显著减少配线的数量，从而具有可实现高密度化(高容量化)的优点。

由于NAND型闪存的这些特性，NAND型闪存主要用作便携式存储装置。

闪存的操作模式可分为在浮置栅极(floating gate)中填充电子的编程模式、去除电子的擦除(erase)模式、以及读取数据的读取模式。

编程模式为通过向作为字线的控制栅极施加高电压将沟道区中的电子隧穿(tunneling)或注入(injection)到浮置栅极中的过程。相反地，擦除模式为通过向基板施加高电压将浮置栅极中的电子移回到沟道区(基板)中的过程。

闪存在一般情况下不可覆盖写入，因此必须首先执行擦除模式后才能写入新的数据。

在读取模式下，通过读取根据浮置栅极中电子状态的阈值电压(Thresholdvoltage)值的变化来确定数据。

如上所述，对外部装置和内部单元阵列，闪存在读取模式下需通过位线提取数据，而在擦除模式下需通过位线施加高电压。

闪存大体上分为NAND型和NOR型。在NAND型闪存中，地址线以区块为单位设置，在NOR型闪存中，地址线以单元(cell)为单位设置。

因此，NAND型闪存虽然具有只能区块存取的缺点，但是与NOR型闪存相比，可以显著减少配线的数量，从而具有能够高密度化(高容量化)的优点。

由于NAND型闪存的这种特性，NAND型闪存主要用作便携式存储装置。

将内置有NAND型闪存的卡型便携式存储装置定义为常用NAND闪存卡。

关于NAND闪存卡结构的示例有韩国专利公开号第10-0648243号(授权日为2006年11月14日，发明名称为使用NAND闪存的存储卡)。

如以上授权专利中所述，现有的NAND闪存卡包括控制器，该控制器用于将内置的NAND闪存与如计算机等的主机装置进行相互连接。

也就是说，所有NAND闪存卡都包括多个缓冲器和作为转换指令及地址的电路的控制器。根据如上所述的NAND闪存的结构特性，需要指令和地址的转换。

在编程模式下，控制器的数据被输入到存储单元阵列中，在读取模式下，从存储单元阵列输出到控制器中。

如此，数据在控制器和存储单元阵列之间被输入或输出，此时根据时钟的周期执行数据的输入和输出。