[发明专利]供电电路和终端设备在审

专利信息
申请号: 202010055371.5 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN113141030A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 朱笠;汪会 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 供电 电路 终端设备
【权利要求书】:

1.一种供电电路,其特征在于,包括:电源管理单元PMU、N个充电集成电路IC芯片和并联的N个电池,

其中,N为大于等于2的正整数,所述N个充电IC芯片并联连接至所述PMU的电压输入端,所述N个充电IC芯片中每个充电IC芯片用于控制所述N个电池中的一个电池充放电;所述每个充电IC芯片输出的充电电流小于或等于对应的电池的最大充电电流。

2.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述供电电路还包括至少一个开关均衡电路,所述开关均衡电路用于控制所述N个电池中的至少一个电池接入所述供电电路。

3.根据权利要求2所述的供电电路,其特征在于,在电池充电时,未达到截止电压的电池对应的开关均衡电路导通。

4.根据权利要求2-3任一项所述的供电电路,其特征在于,在电池放电时,所述PMU根据所述N个电池的电压控制所述开关均衡电路的导通或关断。

5.根据权利要求4所述的供电电路,其特征在于,在电池放电时,所述PMU控制电压最高的电池对应的开关均衡电路导通。

6.根据权利要求2-5任一项所述的供电电路,其特征在于,所述开关均衡电路包括第一端、第二端、控制端、第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管和第二MOS管;

所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极连接,作为所述控制端;所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极连接,所述第一MOS管的漏极作为所述第一端,所述第二MOS管的源极作为所述第二端;

或者,所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接,所述第一MOS管的源极作为所述第一端,所述第二MOS管的漏极作为所述第二端;

所述第一端和所述第二端用于串联接入所述电池所在支路。

7.一种终端设备,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的供电电路。

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