[发明专利]无线耳机和无线耳机系统有效

专利信息
申请号: 202010055636.1 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN113141557B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 刘绍斌 申请(专利权)人: OPPO广东移动通信有限公司
主分类号: H04R1/10 分类号: H04R1/10;H02J50/10;H02J7/00
代理公司: 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 代理人: 吴文婧
地址: 523860 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 无线耳机 系统
【权利要求书】:

1.一种无线耳机,其特征在于,包括:

电源模块,用于为所述无线耳机供电;

耳机系统;

开关模块,所述开关模块分别与所述电源模块和所述耳机系统连接;

控制模块,用于根据低功耗进入指令控制所述开关模块断开所述电源模块和所述耳机系统之间的连接,以使所述耳机系统掉电,

所述控制模块还用于:

根据低功耗退出指令控制所述开关模块接通所述电源模块和所述耳机系统之间的连接,以使所述耳机系统上电;

所述低功耗进入指令和所述低功耗退出指令为脉冲信号或单电平信号;

其中,当所述低功耗进入指令和所述低功耗退出指令为脉冲信号时,所述控制模块还用于解析所述脉冲信号,得到所述开关模块的控制信号,控制所述开关模块的开合,以使所述耳机系统通电或断电。

2.根据权利要求1所述的无线耳机,其特征在于,还包括:

金属接口,可与充电盒连接;

所述控制模块与所述金属接口连接,所述控制模块还用于:通过所述金属接口接收所述充电盒发送的所述低功耗进入指令或所述低功耗退出指令。

3.根据权利要求2所述的无线耳机,其特征在于,所述开关模块包括:

P型金属氧化物半导体场效应晶体管,所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的控制极与所述控制模块连接,所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的第一极与所述电源模块连接,所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的第二极与所述耳机系统连接;

电阻,所述电阻的第一端与所述电源模块连接,所述电阻的第二端与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的控制极连接。

4.根据权利要求1所述的无线耳机,其特征在于,所述控制模块的电源引脚与所述电源模块连接;所述控制模块集成于复位IC中,所述复位IC能够为所述耳机系统复位。

5.根据权利要求3所述的无线耳机,其特征在于,还包括:

第一二极管,所述第一二极管的阳极与所述金属接口连接,所述第一二极管的阴极与所述控制模块的电源引脚连接;

第二二极管,所述第二二极管的阳极与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的第二极连接,所述第二二极管的阴极与所述控制模块的电源引脚连接;

所述低功耗进入指令为低电平信号,所述控制模块根据所述低功耗进入指令输出高阻态,以控制所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管断开所述电源模块和所述耳机系统之间的连接;

所述低功耗退出指令为高电平信号,所述控制模块根据所述低功耗退出指令输出低电平信号,以控制所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管接通所述电源模块和所述耳机系统之间的连接。

6.根据权利要求3所述的无线耳机,其特征在于,还包括:

第三二极管,所述第三二极管的阳极与所述金属接口连接,所述第三二极管的阴极与所述控制模块的电源引脚连接;

第四二极管,所述第四二极管的阳极与所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的第二极连接,所述第四二极管的阴极与所述控制模块的电源引脚连接;

N型金属氧化物半导体场效应晶体管,所述控制模块通过所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管与所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的控制极连接,所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的控制极与所述控制模块连接,所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的第一极接地,所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的第二极与所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的控制极连接;

所述低功耗进入指令为低电平信号,所述控制模块根据所述低功耗进入指令输出低电平信号,以控制所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管断开所述电源模块和所述耳机系统之间的连接;

所述低功耗退出指令为高电平信号,所述控制模块根据所述低功耗退出指令输出高阻态或高电平信号,以控制所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管接通所述电源模块和所述耳机系统之间的连接。

7.根据权利要求4-6任一项所述的无线耳机,其特征在于,还包括:

电容,所述电容的第一端接地,所述电容的第二端与所述控制模块的电源引脚连接。

8.一种无线耳机系统,其特征在于,包括:充电盒和如权利要求1-7任一项所述的无线耳机。

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