[发明专利]沟槽型MOSFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOSFET器件，包括第一导电类型半导体层，具有第一导电类型；第二导电类型阱区，具有第二导电类型，设置在所述第一导电类型半导体层内，其特征在于，还包括，

沟槽，设置于所述第一导电类型半导体层内，且所述沟槽内依次设置栅氧化层、栅极和绝缘层，所述栅氧化层与第二导电类型阱区至少部分重叠；

电场保护部，具有第二导电类型，设置于所述沟槽的槽底远离栅氧化层的一侧的第一导电类型半导体层内；

金属连接部，设置于所述沟槽内且位于所述绝缘层上，所述金属连接部贯穿槽底的绝缘层、栅极和栅氧化层，所述金属连接部包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层与电场保护部连接以形成欧姆接触，所述第二金属层连接第一金属层和源极，所述第一金属层的材料为镍，所述第二金属层的材料为铝。

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述源极设置于所述第二导电类型阱区上。

3.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

4.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

5.一种沟槽型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一导电类型半导体层，并在所述第一导电类型半导体层内形成具有第二导电类型的第二导电类型阱区；

在所述第一导电类型半导体层内形成沟槽，在第一导电类型半导体层与所述沟槽的槽底相对应处注入具有第二导电类型的掺杂剂以在所述第一导电类型半导体层内形成电场保护部；

在所述沟槽内依次形成栅氧化层、栅极和绝缘层，所述栅氧化层与第二导电类型阱区至少部分重叠；

在所述沟槽内形成金属连接部，所述金属连接部贯穿槽底的绝缘层、栅极和栅氧化层，所述金属连接部包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层与电场保护部连接以形成欧姆接触，所述第二金属层连接第一金属层和源极，所述第一金属层的材料为镍，所述第二金属层的材料为铝。

6.根据权利要求5所述的沟槽型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，在所述第一导电类型半导体层内形成具有第二导电类型的第二导电类型阱区的步骤，包括，

在所述第一导电类型半导体层内注入具有第二导电类型的掺杂剂以形成第二导电类型半导体层，并在第二导电类型半导体层内间隔重度掺杂具有第一导电类型的掺杂剂和具有第二导电类型的掺杂剂以形成欧姆接触区，制得第二导电类型阱区；或者，

在所述第一导电类型半导体层上先形成第二导电类型半导体层，并在第二导电类型半导体层内间隔重度掺杂具有第一导电类型的掺杂剂和具有第二导电类型的掺杂剂以形成欧姆接触区，制得第二导电类型阱区。

7.根据权利要求5所述的沟槽型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，在所述第一导电类型半导体层内形成沟槽的步骤，包括，

刻蚀部分第二导电类型半导体层直至第一导电类型半导体层内，形成至少部分位于第一导电类型半导体层内且剩余部分位于第二导电类型半导体层内的沟槽。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的沟槽型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，在所述沟槽内依次形成栅氧化层、栅极和绝缘层的步骤，包括，

通过化学气相沉积在沟槽内沉积形成栅氧化层；

通过化学气相沉积在栅氧化层沉积形成栅极；

刻蚀沟槽槽底和沟槽外的栅氧化层和栅极，保留沟槽槽壁上的栅氧化层和栅极；

对沟槽槽壁上的栅极进行部分氧化，在栅极上形成绝缘层。

9.根据权利要求5所述的沟槽型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型半导体层为碳化硅层；所述栅氧化层为二氧化硅层；所述栅极为多晶硅层；所述绝缘层为二氧化硅层。

10.根据权利要求5-7中任一项所述的沟槽型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，在所述沟槽内形成金属连接部的步骤，包括：

通过溅射、化学气相沉积或蒸发的方式在沟槽内填充金属，形成金属连接部。