[发明专利]脑电极有效
申请号: | 202010055767.X | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN111248905B | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
发明(设计)人: | 王常勇;周瑾;柯昂 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军军事科学院军事医学研究院 |
主分类号: | A61B5/291 | 分类号: | A61B5/291 |
代理公司: | 北京成实知识产权代理有限公司 11724 | 代理人: | 叶立涛 |
地址: | 100036*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 | ||
1.一种脑电极,其特征在于,包括:
收纳部,其内形成有用于盛放导电膏的收纳腔;
探头,其从所述收纳部的下端伸出并能够进行伸缩;
隔板,其设置于所述收纳腔中并将所述收纳腔分割成上腔和下腔;
单向阀,其设置于所述隔板处,当所述下腔的导电膏受压时,所述单向阀切换至关闭状态;
弹簧,其设置于所述下腔中以用于对所述探头施加弹力;
平衡孔,其开设于所述收纳部的上端;其中:
所述探头中开设有导流通道,所述导流通道轴向的贯通所述探头。
2.根据权利要求1所述的脑电极,其特征在于,所述单向阀包括枢接于所述隔板的开口一侧的活板,所述活板的自由端通过止挡于所述隔板的底部而切换至关闭状态。
3.根据权利要求1所述的脑电极,其特征在于,所述上腔和所述下腔均为柱状腔,所述上腔的直径大于所述下腔的直径;所述隔板位于所述上腔与所述下腔的交接处。
4.根据权利要求1所述的脑电极,其特征在于,所述探头的上端形成有止挡台,所述止挡台用于限制所述探头脱离所述收纳部的下端。
5.根据权利要求1所述的脑电极,其特征在于,所述探头的下端设置成半球面。
6.根据权利要求1所述的脑电极,其特征在于,所述导流通道在所述探头的下端形成多个端口。
7.根据权利要求1所述的脑电极,其特征在于,所述下腔的上部形成有止挡环,所述弹簧的上端止挡于所述止挡环。
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