[发明专利]一种氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料及其合成方法与应用

权利要求书

1.一种氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：

以芦荟凝胶作为碳源，以硝酸钴作为钴源，经过水热反应，在所述芦荟凝胶表面原位生长氧化钴，得到复合物；将所述复合物碳化，获得所述氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料。

2.根据权利要求1所述的氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料的合成方法，其特征在于，所述复合物通过如下步骤得到：

S1，获取芦荟凝胶，加入硝酸钴，混合均匀，得到混合物；

S2，在所述混合物中加入水，置于高压反应器中加热进行水热反应，反应结束后，冷却、清洗、干燥后得到所述复合物。

3.根据权利要求1所述的氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料的合成方法，其特征在于，所述符合物的碳化步骤包括：

S3，对所述复合物进行清洗，然后进行干燥、无氧碳化，获得所述氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料；其中，清洗过程为用水清洗，或者用乙醇和水清洗。

4.根据权利要求2所述的氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料的合成方法，其特征在于，步骤S1中：所述芦荟凝胶由芦荟叶去除表皮后得到；所述硝酸钴按照与所述芦荟凝胶的干燥产物的质量比为1:1～2:1加入；

其中，所述芦荟凝胶的干燥产物按照以下步骤获得：将所述芦荟凝胶切成小块，在100～140℃下烘烤6～8h得到。

5.根据权利要求2所述的氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料的合成方法，其特征在于：步骤S2中，水热反应的温度为160～200℃，时间为10～14h。

6.根据权利要求3所述的氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料的合成方法，其特征在于：步骤S3中，所述复合物进行无氧碳化的温度为600～800℃，时间为40～60min。

7.一种氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料，根据权利要求1～6中任意一项所述的合成方法合成得到，包括碳化的芦荟凝胶以及附着在所述碳化的芦荟凝胶上的氧化钴。

8.根据权利要求7所述的氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料在制备超级电容器的电极中的应用。