[发明专利]一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块

权利要求书

1.一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块，其特征在于，包括自上而下依次连接的正极散热片（8）、压接式模块和负极散热片（19）；所述的压接式模块包括直流正极铜排（11）、交流输出铜排（15）、直流负极铜排（17）和半导体芯片单元（14）；

所述的交流输出铜排（15）的上下表面对称设有供半导体芯片单元安装的定位凹槽一和定位凹槽二，半导体芯片单元的正极与定位凹槽二紧密贴合，负极与定位凹槽一紧密贴合；直流正极铜排下层绝缘膜（13）和直流负极铜排上层绝缘膜（16）设有供半导体芯片单元（14）穿过的通孔；所述的交流输出铜排（15）的两侧对称安装有半导体芯片单元（14），半导体芯片单元（14）的外围均匀分布有贯穿直流正极铜排（11）、交流输出铜排（15）和直流负极铜排（17）的螺纹孔，通过绝缘双头螺丝（12）紧固，由绝缘双头螺丝（12）上的外螺纹与螺纹孔的内螺纹咬合产生压接力；所述直流正极铜排（11）和直流负极铜排（17）的上下表面均设有绝缘膜，直流正极铜排（11）和直流负极铜排（17）上设有直流母线电容接口，交流输出铜排（15）上设有负载接口；

所述半导体芯片单元设有阶梯限位结构，直流正极铜排下层绝缘膜和直流负极铜排上层绝缘膜设有供半导体芯片单元穿过的阶梯孔，阶梯孔与所述阶梯限位结构匹配；所述的正极散热片（8）、压接式模块和负极散热片（19）上设有贯通的螺纹孔，通过加长的绝缘双头螺丝紧固；

所述半导体芯片单元（14）是由上钼片（20）、半导体芯片（21）、下钼片（23）和铝片（24）自上而下形成的一体化叠层组件；所述半导体芯片（21）的正极与上钼片（20）压接接触，负极与下钼片（23）压接接触。

2.如权利要求1所述的一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块，其特征在于，所述的绝缘双头螺丝（12）的高度与直流正极铜排（11）的上表面、以及交流输出铜排（15）的下表面平齐。

3.如权利要求1所述的一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块，其特征在于，所述上钼片和下钼片的厚度为100μm~400μm，铝片厚度为50μm~200μm。

4.如权利要求1所述的一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块，其特征在于，所述半导体芯片采用硅二极管芯片、肖特基二极管芯片或碳化硅二极管芯片。

5.如权利要求1所述的一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块，其特征在于，所述的绝缘双头螺丝（12）由聚醚醚酮制成，绝缘膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成。

6.如权利要求1所述的一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块，其特征在于，每层绝缘膜厚度在50μm以上。