[发明专利]一种低夹断电压的JFET结构及制作方法

权利要求书

1.一种低夹断电压的JFET结构，其特征在于，该结构至少包括：P型衬底，位于所述P型衬底上的N型深阱；位于所述N型深阱中的P型注入区，该P型注入区将所述N型深阱隔离为位于所述P型注入区下方的第一N型深阱和位于所述P型注入区上方的第二N型深阱；位于所述第二N型深阱上的第一、第二场氧区，该两个场氧区之间设有P型重掺杂区；

位于所述第一场氧区左侧的第三场氧区和位于所述第二场氧区右侧的第四场氧区；所述第三、第一场氧区之间设有N型重掺杂区；所述第二、第四场氧区之间设有N型重掺杂区。

2.根据权利要求1所述的低夹断电压的JFET结构，其特征在于：所述第三场氧区左侧的所述P型衬底上以及所述第四场氧区右侧的P型衬底上分别设有将所述P型注入区引出的P阱。

3.根据权利要求2所述的低夹断电压的JFET结构，其特征在于：所述第三、第一场氧区之间的N型重掺杂区、所述第二、第四场氧区之间的N型重掺杂区以及所述第一、第二场氧区之间的P型重掺杂区上均设有接触孔。

4.根据权利要求3所述的低夹断电压的JFET结构，其特征在于：所述接触孔上设有与所述接触孔连接的金属线。

5.根据权利要求4所述的低夹断电压的JFET结构，其特征在于：所述JFET结构的漏极电压为20v，栅极电压为0v，夹断电压为3.5V。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的低夹断电压的JFET结构的制作方法，其特征在于：该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供一P型衬底，在所述P型衬底上形成N型深阱；

步骤二、在所述N型深阱上形成第一、第二场氧区；

步骤三、在所述第三场氧区左侧的所述P型衬底上、所述第四场氧区右侧的P型衬底上形成P阱；

步骤四、在所述第一至第四场氧区下方的所述N型深阱中形成P型注入区，该P型注入区将所述N型深阱隔离为位于所述P型注入区下方的第一N型深阱和位于所述P型注入区上方的第二N型深阱；

步骤五、在所述第一、第三场氧区之间的所述第二N型深阱中以及所述第二、第四场氧区之间的所述第二N型深阱中分别形成N型重掺杂区；在所述第一、第二场氧区之间的所述第二N型深阱中形成P型重掺杂区。

7.根据权利要求6所述的低夹断电压的JFET结构的制作方法，其特征在于：步骤一中在所述P型衬底上通过N型离子注入形成所述N型深阱。

8.根据权利要求7所述的低夹断电压的JFET结构的制作方法，其特征在于：步骤二中在所述N型深阱上形成第一、第二场氧区的同时，在所述第一场氧区左侧的所述N型深阱上形成第三场氧区，在所述第二场氧区右侧的所述N型深阱上形成第四场氧区。

9.根据权利要求8所述的低夹断电压的JFET结构的制作方法，其特征在于：步骤二中形成所述第一至第四场氧区的方法为：先利用光刻打开用于制作所述第一至第四场氧区的区域，再刻蚀该区域形成所述第一至第四场氧区。

10.根据权利要求9所述的低夹断电压的JFET结构的制作方法，其特征在于：步骤三中形成所述P阱的方法为：利用光刻在所述第三场氧区左侧的所述P型衬底上、所述第四场氧区右侧的P型衬底上分别打开注入区域；在所述第三场氧区左侧的所述注入区域以及第四场氧区右侧的所述注入区域分别注入P型杂质离子形成所述P阱。

11.根据权利要求10所述的低夹断电压的JFET结构的制作方法，其特征在于：该方法还包括步骤六、淀积层间介质层，并从所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区引出接触孔。

12.根据权利要求11所述的低夹断电压的JFET结构的制作方法，其特征在于：该方法还包括步骤七、在所述层间介质层上淀积金属，将所述接触孔填充所述金属。