[发明专利]硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种硅基板蚀刻溶液，其特征在于，

包含：

磷酸水溶液；以及

由下述化学式1表示的硅添加剂，

上述硅基板蚀刻溶液包含100ppm至10000ppm的上述硅添加剂，

化学式1：

在上述化学式1中，R₁至R₄分别独立地选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基、含有至少一种杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤烷基、C₁-C₁₀氨基烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，

R₁至R₄中的至少两个是由下述化学式2表示的官能团，且R₁至R₄中的至少一个是羟基或卤素，

化学式2：-Ar-((CH₂)_m-NR₅R₆)_n

Ar为芳基或杂芳基，

m为1至4之间的整数，

R₅及R₆分别独立地选自氢、C₁-C₁₀烷基、C₆-C₁₂环烷基，包含至少一种杂原子的C₂-C₁₀杂烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基、C₁-C₁₀卤烷基及C₁-C₁₀氨基烷基，

n为1至5之间的整数。

2.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述Ar选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基及芘基。

3.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述Ar选自吡咯基、吡啶基、噁唑基、异噁唑基、三唑基、噻唑基、异噻唑基、吡唑基、吡唑烷基、噁二唑基、噻二唑基、咪唑基、咪唑啉基、哒嗪基、三嗪基、哌啶基、吡嗪基及嘧啶基。

4.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，R₁至R₄中的三个是由化学式2表示的官能团，上述三个官能团相同或不同。

5.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液蚀刻由硅氧化膜组成的单层膜或同时包含硅氧化膜和硅氮化膜的多层膜。

6.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含选自氟化氢、氟化铵、二氟化铵及氟化氢铵中的至少一种含氟化合物。

7.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含具有由有机类阳离子与氟类阴离子离子键合的形态的含氟化合物。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括利用权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液来执行的蚀刻工序。