[发明专利]一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法

权利要求书

1.一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一待检测的鳍式场效应晶体管芯片，所述鳍式场效应晶体管芯片的尺寸小于22nm；

对所述鳍式场效应晶体管芯片进行预处理，得到具有减薄表面和侧边设有两个相邻的切割面的减薄芯片样品及所述两个相邻切割面的表面电路布局图；

根据所述两个相邻切割面的表面电路布局图，得到所述减薄表面和所述两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置；

根据所述减薄表面和所述两个相邻切割面上Fin沟道位置和与其对应的栅极位置，对所述Fin沟道位置和所述栅极位置在所述芯片样品的减薄表面和两个相邻切割面上进行定位标记，得到第一定位标记；

对所述减薄表面沉积切割保护层，得到具有沉积保护层的芯片样品与所述Fin沟道位置和所述栅极位置对应在所述沉积保护层表面的位置，具体包括：对所述减薄表面沉积聚焦离子束切割保护层，得到具有所述两个相邻切割面上未被覆盖的第一定位标记的芯片样品；根据所述两个相邻切割面上未被覆盖的第一定位标记，得到所述Fin沟道位置和所述栅极位置对应在所述沉积保护层表面的位置；

根据所述Fin沟道位置和所述栅极位置对应在所述沉积保护层表面的位置，对所述沉积保护层的芯片样品在所述沉积保护层表面进行定位标记，得到第二定位标记；

根据所述第二定位标记，对所述沉积保护层的芯片样品进行切割处理，得到顶部具有沉积保护层和所述第二定位标记的针尖样品；

去除所述顶部的切割保护层和第二定位标记，得到鳍式场效应晶体管针尖样品。

2.根据权利要求1所述的一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，其特征在于，所述对所述鳍式场效应晶体管芯片进行预处理，得到具有减薄表面和侧边设有两个相邻的切割面的减薄芯片样品及所述两个相邻切割面的表面电路布局图包括：

对所述鳍式场效应晶体管芯片进行减薄，减薄至接触层，得到减薄芯片样品和减薄表面位置；

根据所述减薄芯片样品得到所述减薄芯片样品上减薄表面的电路布局图；

对所述减薄芯片样品同时进行聚焦离子束切割，得到具有两个相邻切割面的芯片样品；

对所述两个相邻切割面进行观测，得到所述两个相邻切割面的表面电路布局图。

3.根据权利要求2所述的一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，其特征在于，所述根据所述第二定位标记，对所述沉积切割保护层的芯片样品进行切割处理，得到顶部具有沉积保护层和所述第二定位标记的针尖样品包括：

对所述沉积保护层的芯片样品进行聚焦离子束粗切割，得到粗减薄薄片；

对所述粗减薄薄片进行粗环切，所述粗环切的环切中心为第二定位标记，得到方柱形芯片样品；

对所述方柱形芯片样品进行精环切，所述精环切的环切中心为第二定位标记，得到锥形芯片样品；

对所述锥形芯片样品进行闭环切，所述闭环切的环切中心为第二定位标记，得到顶部具有保护层和第二定位标记的针尖样品。

4.根据权利要求3所述的一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，其特征在于，所述对所述沉积保护层的芯片样品进行聚焦离子束粗切割，得到粗减薄薄片之后还包括：

将所述粗减薄薄片原位提取并垂直粘结至三维原子探针样品台。

5.根据权利要求1所述的一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，其特征在于，所述定位标记的方法为聚焦离子束原位点沉积，所述点沉积的沉积材料为铂或钨。

6.根据权利要求4所述的一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，其特征在于，所述将所述粗减薄薄片原位提取并垂直粘结至三维原子探针样品台，具体采用面沉积方法进行粘结，沉积材料为铂。

7.根据权利要求3所述的一种用于精确定位制备鳍式场效应晶体管针尖样品的制备方法，其特征在于，所述粗环切的环切条件为：采用聚焦离子束切割，内方环边长为2um，外方环边长为5um，离子束工作电压为30kV。