[发明专利]一种二维PLZST反铁电光子晶体及制备方法

权利要求书

1.一种二维PLZST反铁电光子晶体制备方法，其特征在于，所述二维PLZST反铁电光子晶体制备方法包括：

（1）选取正丙醇锆、钛酸四丁酯、乙酸铅、乙酸锡、硝酸镧为原料，以乙酸、乙二醇乙醚、乙酰丙酮、甲酰胺为溶剂，采用Sol-Gel方法制备PLZST溶胶；

（2）将SSO模板固定在匀胶机上，滴入PLZST溶胶，采用旋涂法进行填充SSO模板；

所述SSO模板的制备方法包括：

1）采用绘图软件设计版图，孔径0.2~1μm，孔距0.1~0.5μm；

2）将Si衬底上氧化一层SiO₂，SiO₂的厚度根据光子晶体的厚度来确定，通过氧化时间来控制SiO₂的厚度；

3）清洗Si-SiO₂，采用旋涂工艺在SiO₂表面旋涂一定厚度的光刻胶，并烘干；

4）采用电子束曝光工艺，根据设计的版图进行曝光；

5）将曝光后的样品进行显影和烘烤坚膜；

6）采用反应耦合等离子体刻蚀工艺刻蚀掉SiO₂层；

7）采用溶胶剂清洗掉保护用的光刻胶，制得SSO模板；

（3）在电加热板上第一次加热，加热温度设置在60-80℃，在80℃时持续15min；

（4）将样品冷却后固定在匀胶机上，进行第二次旋涂填充，重复第（3）步；

（5）重复第（4）步4~5遍；

（6）将样品放入管式加热炉中，并充入氩气，进行烧结，然后自然冷却；

（7）将样品取出，采用纳米抛光机清除表面残余的PLZST薄膜；

（8）采用化学方法腐蚀样品上的SiO₂柱，得到Si衬底上的二维PLZST反铁电光子晶体。

2.如权利要求1所述的二维PLZST反铁电光子晶体制备方法，其特征在于，步骤（3）中，加热时以1℃/min的速度梯度烘干。

3.如权利要求1所述的二维PLZST反铁电光子晶体制备方法，其特征在于，步骤（6）中，烧结时采用630℃的温度进行，烧结时间150min。

4.如权利要求1-3任意一项所述的二维PLZST反铁电光子晶体制备方法制备的二维PLZST反铁电光子晶体。

5.一种用如权利要求4所述二维PLZST反铁电光子晶体制备的光通讯器件。

6.一种用如权利要求4所述二维PLZST反铁电光子晶体制备的光传感器件。

7.一种用如权利要求4所述二维PLZST反铁电光子晶体制备的光电子集成器件。