[发明专利]一种宽波段自供电锑薄膜光电探测器

权利要求书

1.一种宽波段自供电锑薄膜光电探测器，其特征在于：由锑薄膜和银电极复合而成，所述锑薄膜是通过Sb粉气相沉积于衬底制得。

2.根据权利要求1所述的宽波段自供电锑薄膜光电探测器，其特征在于：所述锑薄膜的具体制备过程为：将Sb粉置于加热区，将石英管内气压抽至10pa，并使用氩氢混合气体洗气15min～20min，保持气体流速为80～100sccm，让所述加热区温度以20～25℃/min由室温上升至440℃，将衬底放置于距离加热区中心14～15cm处，使得气化后的Sb粉沉积于衬底上得到所述锑薄膜。

3.根据权利要求2所述的宽波段自供电锑薄膜光电探测器，其特征在于：所述锑薄膜的厚度为10～20nm。

4.根据权利要求1所述的宽波段自供电锑薄膜光电探测器，其特征在于：所述Sb粉的纯度不低于99.99％。

5.根据权利要求1所述的宽波段自供电锑薄膜光电探测器，其特征在于：所述衬底为SiO₂/Si刚性衬底或PI柔性衬底。

6.根据权利要求5所述的宽波段自供电锑薄膜光电探测器，其特征在于：所述SiO₂/Si刚性衬底先采用食人鱼溶液进行浸泡并且超声5h，之后使用超纯水清洁，高温干燥后使用。

7.根据权利要求5所述的宽波段自供电锑薄膜光电探测器，其特征在于：所述PI柔性衬底先使用无水乙醇浸泡并超声2h，之后经超纯水清洗后干燥使用。