[发明专利]一种全闪存阵列垃圾回收减少写放大的方法在审

专利信息
申请号: 202010059623.1 申请日: 2020-01-19
公开(公告)号: CN111273868A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 周耀辉 申请(专利权)人: 西安奥卡云数据科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京八月瓜知识产权代理有限公司 11543 代理人: 李斌
地址: 712000 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪存 阵列 垃圾 回收 减少 放大 方法
【权利要求书】:

1.一种全闪存阵列垃圾回收减少写放大的方法,其特征在于,包括逻辑卷的写操作与逻辑卷的读操作;

所述逻辑卷的写操作包括以下步骤:

S1:当有写操作的时候,会先计算出数据object的哈希值和逻辑卷的VBN,即逻辑块号并记录;

S2:之后数据object会写入NVDIMM的extent中,object会依次从extent的前段往后写,mPu指向下一个要写的object的位置;

S3:object的元数据objectrecord会依次从extent的后端往前写,mDown指向下一个要写的objectrecord的位置;

S4:当mDown减mUp小于4KB+32B的时候,extent就因为已经写满,会启动一个后台线程;

S5:将extent 16MB的数据直接刷写到对应位置的后端闪存上;

所述逻辑卷的读操作包括以下步骤:

S1:当有读操作的时候,会通过逻辑卷VBN,即逻辑块号,查询到VBN所在数据object上的哈希值;

S2:在通过哈希值,检索到元数据objectrecord;

S3:通过objectrecord中的PBN定位到NVDIMM的object,读出数据。

2.根据权利要求1所述的一种全闪存阵列垃圾回收减少写放大的方法的规则,其特征在于:全闪存阵列的使用NVDIMM内存,即non-volatiledual in-line memory module非易失性存储器,具备断电数据保存功能,作为闪存整列的写操作辅助模块,数据会以4KB为单位,每个4KB的数据被称作object,每个object都有一个32个字节的元数据Objectrecord,记录了object的hash值,以及计算出的object在闪存中的存储的物理位置PBN,即物理块号,NVDIMM会被划分成16MB大小的分块,每个分块被称作extent,每个extent都有自己的数据结构,有分为ExtentHeader和ExtentPayload,ExtentHeader记录extent的头信息4KB大小,ExtentPayload存储的就是object、objectrecord。

3.根据权利要求2所述的一种全闪存阵列垃圾回收减少写放大的方法的规则,其特征在于:mBackendIndex表示object属于哪个后端闪存设备,mExtentIndex表示extent在后端闪存上的位置,mUp表示object在extent中从前往后存储的下标位置,向上递增,mDown表示objectrecord在extent中从后往前存储的下标位置,向下递减,mData中存储的object数据和objectrecord记录。

4.根据权利要求3所述的一种全闪存阵列垃圾回收减少写放大的方法的规则,其特征在于:后端闪存设备也被划分和extent相同大小的分块。

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