[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部沿所述衬底表面法线方向交替层叠的牺牲层和衬层，所述衬层位于相邻两层所述牺牲层之间和底层的牺牲层和衬底之间；

在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅电极层；

在所述衬底上、所述伪栅电极层的侧壁上形成层间介质层；

完全去除所述伪栅电极层，在所述层间介质层内形成栅开口；

沿所述栅开口对所述鳍部中的底部进行寄生沟道关闭离子注入；

采用分步去除工艺完全去除所述伪栅电极层；采用分步去除工艺完全去除所述伪栅电极层的过程包括：采用第一去除工艺去除部分厚度的所述伪栅电极层，至伪栅电极层的顶部表面低于所述鳍部中顶层的所述牺牲层的顶部表面、且高于或齐平于顶层的所述牺牲层的底部表面；进行第一去除工艺之后，采用第二去除工艺去除剩余的伪栅电极层；

在所述第一去除工艺之后，在所述第二去除工艺之前，还包括：对顶层的所述牺牲层进行阻挡离子注入。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述寄生沟道关闭离子注入的注入离子的导电类型与所述半导体器件的类型相反。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，当所述半导体器件的类型为N型器件时，所述寄生沟道关闭离子注入的注入离子的导电类型为P型，所述注入离子包括B离子或BF₂^2-离子或In离子。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，当所述半导体器件的类型为P型器件时，所述寄生沟道关闭离子注入的注入离子的导电类型为N型，所述注入离子包括P离子或As离子。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，当所述半导体器件的类型为N型器件时，所述寄生沟道关闭离子注入的工艺参数包括：注入能量为1.0KeV～30KeV、注入剂量为5.0E13atom/cm²～8.0E14atom/cm²。

6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，当所述半导体器件的类型为P型器件时，所述寄生沟道关闭离子注入的工艺参数包括：注入能量为1.0KeV～30KeV、注入剂量为1.0E13 atom/cm²～4.0E14atom/cm²。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述伪栅电极层之前，还包括：在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层的顶部表面与最底层的所述牺牲层的底部表面齐平。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，对所述鳍部中的底部进行寄生沟道关闭离子注入的方法包括：形成所述隔离层之后，对所述隔离层进行所述寄生沟道关闭离子注入，在所述寄生沟道关闭离子注入的过程中注入的离子横向扩散到所述鳍部中的底部。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅电极层之前，还包括：在所述鳍部的部分侧壁和部分顶部上形成伪栅氧化层；对所述鳍部中的底部进行寄生沟道关闭离子注入之后，去除所述伪栅氧化层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，完全去除所述伪栅电极层的方法包括：采用整体去除工艺。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡离子注入的注入离子为碳离子或氮离子。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡离子注入的工艺参数包括：注入能量为1.0KeV～20KeV、注入剂量为5.0E13atom/cm²～8.0E15atom/cm²。