[发明专利]制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片

权利要求书

1.一种制造异质结太阳能电池片的方法，其特征在于，所述方法包括制造异质结太阳能电池片整片的步骤和将所述异质结太阳能电池片整片裂片的步骤，其中，制造异质结太阳能电池片整片的步骤又包括如下步骤：

设置中心层；

以递增的多个加工温度在所述中心层的顶侧自所述中心层起依次加工多个顶侧透光导电层；

以递增的多个加工温度在所述中心层的底侧自所述中心层起依次加工出多个底侧透光导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加工各个所述顶侧透光导电层时使用的沉积速度条件彼此不同；加工各个所述底侧透光导电层时使用的沉积速度条件彼此不同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加工各个所述顶侧透光导电层时使用的沉积速度条件相同；加工各个所述底侧透光导电层时使用的沉积速度条件相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加工自所述中心层起的第一层顶侧透光导电层和第一层底侧透光导电层所使用的加工温度小于200℃。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，加工除了所述第一顶侧透光导电层和所述第一层底侧透光导电层之外的透光导电层所使用的加工温度大于或等于200℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加工顶侧透光导电层的步骤和加工底侧透光导电层的步骤能够同时进行或先后进行。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加工顶侧透光到点层的步骤和加工底侧透光导电层的步骤在同一加工腔室中完成，所述加工腔室能够被控制以提供递增的加工温度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

加工顶侧透光导电层的步骤包括：将所述中心片依次置于能够提供递增的加工温度的不同的加工腔室中，以在每一个加工腔室中各生成一层所述顶侧透光导电层；

加工底侧透光导电层的步骤包括：将所述中心片依次置于能够提供递增的加工温度的不同的加工腔室中，以在每一个加工腔室中各生成一层所述底侧透光导电层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置中心层的步骤包括：

设置N型单晶硅衬底层；

在所述单晶硅衬底层的顶侧和底侧分别设置本征非晶硅层；

在位于所述单晶硅衬底层的顶侧的本征非晶硅层的顶侧设置N型非晶硅薄膜层；

在位于所述单晶硅衬底层的底侧的本征非晶硅层的底侧设置P型非晶硅薄膜层。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用掺杂锡的氧化铟、掺杂铝的氧化锌或掺杂氟的氧化锡加工所述顶侧透光导电层和所述底侧透光导电层。

11.一种由根据权利要求1-9中任意一项所述的方法制造的异质结太阳能电池片。

12.根据权利要求10所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片包括：

N型单晶硅衬底层；

顶侧本征非晶硅层，所述顶侧本征非晶硅层设置在所述N型单晶硅衬底层的顶侧；

底侧本征非晶硅层，所述底侧本征非晶硅层设置在所述N型单晶硅衬底层的底侧；

N型非晶硅薄膜层，所述N型非晶硅薄膜层设置在所述顶侧本征非晶硅薄膜层的顶侧；

P型非晶硅薄膜层，所述P型非晶硅薄膜层设置在所述底侧本征非晶硅薄膜层的底侧；

多个顶侧透光导电层，所述多个顶侧透光导电层位于所述N型非晶硅薄膜层的顶侧并自所述N型非晶硅薄膜层起按晶粒尺寸从小到大的顺序排列；

多个底侧透光导电层，所述多个底侧透光导电层位于所述P型非晶硅薄膜层的底侧并自所述P型非晶硅薄膜层起按经理尺寸从小到大的顺序排列；

电极，所述电极设置在所述顶侧透光导电层的顶表面上和所述底侧透光导电层的底表面上。