[发明专利]使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202010060259.0 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN111261512A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | R·古普塔;V·R·帕里姆;V·苏尔拉;C·安德森;N·斯塔福德 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/768;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张双双;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 蚀刻 气体 半导体 结构 方法 | ||
1.一种在基材上沉积抗蚀聚合物层的方法，所述方法包括：
将化合物蒸气引入包含基材的反应室中，所述化合物具有选自由如下组成的组的式：
C2F4S2(CAS 1717-50-6)，F3CSH(CAS 1493-15-8)、F3C-CF2-SH(CAS 1540-78-9)、F3C-CH2-SH(CAS 1544-53-2)、CHF2-CF2-SH(812-10-2)、CF3-CF2-CH2-SH(CAS 677-57-6)、F3C-CH(SH)-CF3(CAS 1540-06-3)、F3C-S-CF3(CAS 371-78-8)、F3C-S-CHF2(CAS 371-72-2)、F3C-CF2-S-CF2-CF3(CAS 155953-22-3)、F3C-CF2-CF2-S-CF2-CF2-CF3(CAS 356-63-8)、c(-S-CF2-CF2-CHF-CF2-)(CAS 1035804-79-5)、c(-S-CF2-CHF-CHF-CF2-)(CAS 30835-84-8)、c(-S-CF2-CF2-CF2-CF2-CF2-)(CAS 24345-52-6)、c(-S-CFH-CF2-CF2-CFH-)(2R,5R)(CAS1507363-75-8)、c(-S-CFH-CF2-CF2-CFH-)(2R,5S)(CAS 1507363-76-9)和c(-S-CFH-CF2-CF2-CH2-)(CAS 1507363-77-0)；和
等离子体活化所述化合物以在基材上形成抗蚀聚合物层。
2.根据权利要求1的方法，其中所述化合物为C2F4S2(CAS 1717-50-6)。
3.根据权利要求1的方法，其中所述化合物选自由如下组成的组：F3CSH(CAS 1493-15-8)、F3C-CF2-SH(CAS 1540-78-9)、F3C-CH2-SH(CAS 1544-53-2)、CHF2-CF2-SH(812-10-2)、CF3-CF2-CH2-SH(CAS 677-57-6)和F3C-CH(SH)-CF3(CAS 1540-06-3)。
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