[发明专利]栅极沟槽填充方法

权利要求书

1.一种栅极沟槽填充方法，其特征在于，所述方法应用于沟槽栅器件的制造过程中，所述方法包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有沟槽，所述衬底上除所述沟槽外的其它区域形成有硬掩模层，所述硬掩模层包括硅氧化物；

在第一阶段，通过湿法刻蚀工艺对所述硬掩模层进行第一次刻蚀，减薄所述硬掩模层且使所述沟槽开口处预定宽度范围内的衬底暴露；

在第二阶段，通过干法刻蚀工艺对所述衬底进行第二次刻蚀，使所述沟槽开口处形成C形凹陷；

在第三阶段，通过湿法刻蚀工艺对所述硬掩模层进行第三次刻蚀，去除剩余的所述硬掩模层且使所述沟槽开口处形成弧形倒角；

在所述衬底和所述沟槽表面形成栅氧化层，在该过程中，通过氢烘烤使所述栅氧化层在所述沟槽开口处形成弧形倒角；

在所述栅氧化层表面形成多晶硅层，所述多晶硅层填充所述沟槽形成栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中的反应溶液包括氟化氢。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述栅氧化层表面形成多晶硅层，包括：

通过PVD工艺在所述栅氧化层表面沉积形成所述多晶硅层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过PVD工艺在所述栅氧化层表面沉积形成所述多晶硅层之后，还包括：

通过平坦化工艺去除所述沟槽外的多晶硅层，使所述沟槽外的栅氧化层暴露。