[发明专利]使用喷头电压变化的故障检测在审
申请号: | 202010061349.1 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN111508818A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 苏尼尔·卡普尔;亚思万斯·兰吉内尼;亚伦·宾汉姆;图安·纽伦 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/3065;G01R1/067;G01R19/165;H01J37/32;G01R1/04;G01R31/28;G01R35/00;H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 喷头 电压 变化 故障 检测 | ||
1.一种用于检测等离子体处理系统的状态的方法,其包括,
从射频功率源向所述等离子体处理系统的多个站中的每个站的喷头提供射频功率;
在布置在所述等离子体处理系统的所述多个站中的每个站中的衬底上运行处理操作;
在所述多个站中的每个站,使用串联式连接在所述射频功率源和所述喷头之间的电压探针感测所述喷头的电压一段时间,在所述处理操作的所述运行期间,在所述多个站中的每个站所述电压的所述感测产生电压值;
对于每个站,将所述电压值与电压检查带进行比较,所述比较用于识别在哪个站所产生的电压值在所述电压检查带之外。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括
其中所述电压检查带与第一处理操作相关联。
3.根据权利要求2所述的方法,其还包括,在所述衬底或另一个衬底上运行第二处理操作,所述第二处理操作与被预定义的用于所述第二处理操作的相应的电压检查带相关联。
4.根据权利要求1所述的方法,其包括,
对所述等离子体处理系统执行校准操作,所述校准操作产生用于定义所述处理操作的所述电压检查带的信息,将该信息保存到数据库并且在所述比较期间被访问。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述校准操作生成用于与多个处理操作相关的多个电压检查带的信息,其中所述多个电压检查带中的每一个对应于特定系统状态。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述特定系统状态中的状态包括晶片错位、或前体输送失灵、或阀的操作失灵、或电短路状态、或电开路状态。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述处理操作是被配置成在所述衬底上沉积材料层的沉积处理。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述状态是晶片错位、或前体输送失灵、或阀的操作失灵、或电短路状态、或电开路状态中的一种。
9.等离子体处理系统,其包括,
电压探针,其串联式连接在射频功率源和喷头之间,所述电压探针被配置为在处理操作的运行期间感测电压值以在所述等离子体处理系统中的衬底上方沉积材料;以及
控制器,其被配置成接收所感测到的所述电压值,并且将所感测到的所述电压值与被预定义用于正在运行的所述处理操作的电压检查带进行比较,所述比较被配置为基于被预定义的用于所述处理操作的与所述电压检查带相关联的电压变化检测故障的类型。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理系统,其中所述控制器被配置成对所述等离子体处理系统执行校准操作,所述校准操作产生用于定义用于所述处理操作的所述电压检查带的信息,所述控制器将该信息保存到数据库以用于在所述比较操作期间访问。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理系统,其中所述校准操作产生用于与多个处理操作相关的多个电压检查带的信息,其中所述多个电压检查带中的每一个对应于故障类型中的特定类型。
12.根据权利要求9所述的等离子体处理系统,其中所述故障的类型包括晶片错位、或前体输送失灵、或阀的操作失灵、或电短路状态、或电开路状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010061349.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造