[发明专利]金属薄膜的制备方法及金属薄膜结构有效
| 申请号： | 202010062242.9 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111254411B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡康;李昭;许闵壹;彭浩;刘红;叶微 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/14 | 分类号： | C23C16/14;C23C16/02;C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 制备 方法 结构 | ||
1.一种金属薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
在晶片上形成粘附层，所述晶片位于腔室内；
对所述粘附层的表面进行预处理；以及
向所述腔室中通入第一前驱体和第二前驱体，以在所述粘附层的表面上形成金属薄膜，所述第二前驱体为还原气体；
其中，所述预处理包括将所述晶片放置等待时间以在所述粘附层的表面形成氧化物，通过控制所述等待时间以调节所述粘附层表面的氧含量，从而改变所述金属薄膜的晶粒尺寸的分布以降低所述金属薄膜的反射率。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述预处理还包括：在所述腔室中通入所述第二前驱体，并使所述粘附层的所述表面充分吸收所述第二前驱体，以提高所述表面的所述第二前驱体的组分均一性以提高所述金属薄膜的反射率。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述第一前驱体为腐蚀性气体，所述预处理还包括：在所述腔室中通入所述第一前驱体，以使所述粘附层的所述表面的氧化物被所述第一前驱体腐蚀，以提高所述表面的所述粘附层的组分均一性以提高所述金属薄膜的反射率。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述晶片放置等待时间的步骤包括将所述晶片放置在晶片盒内。
5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述粘附层的材料为氮化钛。
6.根据权利要求5所述制备方法，其特征在于，提供所述粘附层的方法包括：采用原子层沉积工艺在所述晶片上形成所述粘附层。
7.一种金属薄膜结构，其特征在于，包括：
位于晶片上的粘附层；以及
形成于所述粘附层之上的金属薄膜，
其中，在形成所述金属薄膜之前，对所述粘附层的表面进行预处理，
其中，所述预处理包括将所述晶片放置等待时间以在所述粘附层的表面形成氧化物，通过控制所述等待时间以调节所述粘附层表面的氧含量，从而改变所述金属薄膜的晶粒尺寸的分布以降低所述金属薄膜的反射率。
8.根据权利要求7所述的金属薄膜结构，其特征在于，所述预处理还包括：所述粘附层的所述表面预先暴露于第一前驱体或第二前驱体中。
9.根据权利要求7所述的金属薄膜结构，其特征在于，所述粘附层的所述表面吸附有乙硼烷气体或六氟化钨气体，或所述粘附层的所述表面形成有均匀分布的氧化物。
10.根据权利要求7所述的金属薄膜结构，其特征在于，所述粘附层为采用原子层沉积工艺形成的氮化钛粘附层。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
