[发明专利]非易失内存器件剩余寿命预测方法、装置、设备及介质有效

专利信息
申请号: 202010062739.0 申请日: 2020-01-19
公开(公告)号: CN111258789B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 来炜国 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: G06F11/00 分类号: G06F11/00;G06F11/30;G06F3/06;G11C16/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 田媛媛
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 非易失 内存 器件 剩余 寿命 预测 方法 装置 设备 介质
【说明书】:

本申请公开了一种非易失内存器件剩余寿命预测方法、装置、设备及计算机可读存储介质,方法包括:预先根据非易失内存器件中不同的业务模式设定与业务模式对应的剩余寿命预测策略;采集非易失内存器件的运行参数,根据运行参数确定非易失内存器件当前的业务模式;利用与非易失内存器件当前的业务模式对应的剩余寿命预测策略对非易失内存器件进行剩余寿命预测;判断预测出的剩余寿命是否大于设定值,若是,发出提示。本申请公开的上述技术方案,利用与非易失内存器件当前的业务模式对应的剩余寿命预测策略对非易失内存器件进行剩余寿命预测,并在剩余寿命大于设定值时发出提示,以便于用户可以及时对非易失内存器件进行更换,从而降低数据的丢失率。

技术领域

本申请涉及存储器件技术领域,更具体地说,涉及一种非易失内存器件剩余寿命预测方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

背景技术

非易失内存器件因具有可靠性高、不易发生数据丢失而被广泛应用在存储器件中。其中,Intel的optane DCPMM器件(其是使用DIMM(双列直插式存储模块)内存条物理规模的持久性存储器件)具有宽度大、读写速度快、大容量、长寿命、可字节方位等优点。

目前,在使用非易失内存器件的过程中,当非易失内存器件的使用时间过长时则会出现大量的坏块,而坏块的产生会导致数据丢失的可能性急剧增大,从而会降低非易失性内存器件的可靠性。

综上所述,如何降低非易失内存器件中数据的丢失率,以提高非易失性内存器件的可靠性,是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此,本申请的目的是提供一种非易失内存器件剩余寿命预测方法、装置、设备及计算机可读存储介质,用于降低非易失内存器件中数据的丢失率,以提高非易失性内存器件的可靠性。

为了实现上述目的,本申请提供如下技术方案:

一种非易失内存器件剩余寿命预测方法,包括:

预先根据非易失内存器件中不同的业务模式设定与所述业务模式对应的剩余寿命预测策略;

采集所述非易失内存器件的运行参数,根据所述运行参数确定所述非易失内存器件当前的业务模式;

利用与所述非易失内存器件当前的业务模式对应的剩余寿命预测策略对所述非易失内存器件进行剩余寿命预测;

判断预测出的剩余寿命是否大于设定值,若是,则发出提示。

优选的,当确定所述非易失内存器件当前的业务模式为固定业务模式时,则利用与所述非易失内存器件当前的业务模式对应的剩余寿命预测策略对所述非易失内存器件进行剩余寿命预测,包括:

获取所述非易失内存器件在进入所述固定业务模式时的剩余百分比寿命初始值,并获取所述非易失内存器件在第一时间点处的第一剩余百分比寿命,且每隔第一预设时间间隔获取一次所述非易失内存器件的第二剩余百分比寿命;

判断所述第二剩余百分比寿命与所述第一剩余百分比寿命是否相同,若否,则记录与所述第一剩余百分比寿命不同的所述第二剩余百分比寿命,并记录与所述第一剩余百分比寿命不同的所述第二剩余百分比寿命对应的第二时间点;

利用所述剩余百分比寿命初始值、所述第一时间点、所述第一剩余百分比寿命、与所述第一剩余百分比寿命不同的所述第二剩余百分比寿命、所述第二时间点计算所述非易失内存器件在所述固定业务模式下的剩余寿命。

优选的,利用所述剩余百分比寿命初始值、所述第一时间点、所述第一剩余百分比寿命、与所述第一剩余百分比寿命不同的所述第二剩余百分比寿命、所述第二时间点计算所述非易失内存器件在所述固定业务模式下的剩余寿命,包括:

利用计算所述非易失内存器件在所述固定业务模式下的剩余寿命

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