[发明专利]一种用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法

权利要求书

1.一种用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）在惰性气体环境中，用石墨电阻或水冷线圈高频加热将多晶硅材料熔化，得到硅液；

（2）固定在软轴或硬轴下端的籽晶与步骤（1）中硅液接触，利用毛细作用引拉出一层与接触面等距的实体硅；

（3）步骤（2）中的实体硅脱离硅液温度下降逐步凝固成固体形成狭长地带，继续通过利用软轴或硬轴驱动向上持续凝固固体，形成与模具相同的大表面带状硅；

（4）生长结束后取出生长的带状硅，简单切除籽晶和带状硅产品中间的狭长硅带。

2.根据权利要求1所述的用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，其特征在于：所述籽晶的结构包括第一圆台、第一圆柱体、第二圆台、第二圆柱体，所述第一圆台的一底面与第一圆柱体的一底面连接，所述第一圆柱体的另一底面与第二圆台的一底面连接，所述第二圆台的另一底面与第二圆柱的一底面连接，与第一圆柱体连接的第一圆台底面以及第二圆台底面的直径与第一圆柱体的直径相同。

3.根据权利要求2所述的用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，其特征在于：所述第一圆台面积小的一底面的直径为0.1~5mm，所述第一圆台的高度为0.1~50mm，所述第一圆台的开度为10~30°。

4.根据权利要求2所述的用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，其特征在于：所述第一圆柱体的直径小于第二圆柱体的直径，所述第一圆柱体的长度为10~300mm。

5.根据权利要求2所述的用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，其特征在于：所述第二圆台的开度为10~30°。

6.根据权利要求1所述的用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，其特征在于：所述籽晶为1个或1个以上。

7.根据权利要求1所述的用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，其特征在于：所述籽晶为高纯单晶硅。

8.根据权利要求1所述的用于生长大表面带状硅的引晶拉制方法，其特征在于：所述简单切除为轻轻敲击。