[发明专利]具有传输晶体管的半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

通过多条行线和多条位线访问的多个存储器单元阵列；

传输晶体管，该传输晶体管联接到所述多条行线中的一条行线并被配置为将操作电压传送至所述多条行线中的所述一条行线；以及

多条布线，所述多条布线设置在所述传输晶体管上方的布线层中，

其中，所述布线层包括与所述传输晶体管的源极和漏极交叠的布线禁止间隔，

其中，所述多条布线中的一条或更多条布线设置在所述布线禁止间隔外侧。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

第一触点，该第一触点联接到所述传输晶体管的源极；以及

第二触点，该第二触点联接到所述传输晶体管的漏极，

其中，所述布线禁止间隔在所述第一触点和所述第二触点之间与所述源极和所述漏极交叠。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述布线禁止间隔不与所述传输晶体管的栅极交叠。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述布线禁止间隔不与所述传输晶体管的栅极和设置在所述栅极的侧壁上的栅极间隔物交叠。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述布线禁止间隔与所述传输晶体管的栅极和设置在所述栅极的侧壁上的栅极间隔物交叠。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多条布线不设置在所述布线禁止间隔中。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，所述多条布线包括多条虚设布线，并且

其中，所述多条虚设布线设置在所述布线禁止间隔中。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述布线禁止间隔外侧的所述布线的图案密度与所述布线禁止间隔中的所述虚设布线的图案密度相同。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，所述存储器单元阵列包括联接到所述多条位线的多个漏极选择晶体管、联接到多条源极线的多个源极选择晶体管以及联接在所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管之间的多个存储器单元，

其中，所述多条行线包括联接到所述漏极选择晶体管的栅极的多条漏极选择线、联接到所述源极选择晶体管的栅极的多条源极选择线以及联接到所述多个存储器单元的栅极的多条字线，

其中，所述传输晶体管联接到所述源极选择线和所述漏极选择线中的一条，并且

其中，施加有传输电压的布线设置在所述布线禁止间隔中。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，所述存储器单元阵列包括联接到所述多条位线的多个漏极选择晶体管、联接到多条源极线的多个源极选择晶体管以及联接在所述漏极选择晶体管和所述源极选择晶体管之间的多个存储器单元，

其中，所述多条行线包括联接到所述漏极选择晶体管的栅极的多条漏极选择线、联接到所述源极选择晶体管的栅极的多条源极选择线以及联接到所述多个存储器单元的栅极的多条字线，

其中，所述传输晶体管联接到所述多条字线中的一条字线，并且

其中，联接到所述漏极选择线以及联接到所述源极选择线的所述多条布线设置在所述布线禁止间隔外侧。