[发明专利]一种调节垂直腔面发射半导体激光器光束发散角的方法有效
| 申请号： | 202010063125.4 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111244760B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 徐化勇;仇伯仓;高阳;蒋锴 | 申请（专利权）人： | 江西德瑞光电技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 黄文亮 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调节 垂直 发射 半导体激光器 光束 发散 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种调节垂直腔面发射半导体激光器光束发散角的方法，其特征在于：在半导体衬底上利用外延技术依次生长N型半导体反射层、有源层、p型半导体反射层；所述N型半导体反射层和P型半导体反射层为具有不同折射率的两种半导体材料组成的多对分布布拉格反射镜层；
所述P型半导体DBR具有减少的对数；
在所述P型半导体反射层上制作一定对数的介质DBR层；通过调节所述介质DBR层的横向尺寸来调节VCSEL的发散角；
所述的半导体激光器具有一个氧化层，该氧化层部分氧化形成氧化孔，所述介质DBR层在该氧化孔上方，所述介质DBR层的横向尺寸小于氧化孔层。
2.根据权利要求1所述的一种调节垂直腔面发射半导体激光器光束发散角的方法，其特征在于：所述的介质DBR层中所用为TiO2、SiO2、Al2O3、MgO、si3n4、CaF2、ZnSe、MgF2中的两种或者多种。
3.根据权利要求1所述的一种调节垂直腔面发射半导体激光器光束发散角的方法，其特征在于：所述的氧化孔的寸为6-10微米，所述介质DBR层的尺寸为3-5微米。
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