[发明专利]非易失性存储装置中的程序挂起-恢复技术在审
申请号: | 202010063140.9 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN111627482A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | G·多纳蒂;A·达历山德拉;V·莫斯基亚诺 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C16/12 | 分类号: | G11C16/12;G11C16/34 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘炳胜 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 中的 程序 挂起 恢复 技术 | ||
1.一种非易失性存储器设备,包括:
非易失性存储器单元的阵列;
控制电路,用于挂起对所述阵列中的程序单元的操作;以及
计时器,用于跟踪所述程序操作被挂起的持续时间;
控制电路,用于利用基于所述程序操作被挂起的所述持续时间的下一个程序电压来恢复所述程序操作。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中:
所述计时器响应于接收到指示程序挂起的信号而开始跟踪所述持续时间;以及
所述计时器响应于接收到指示程序恢复的信号而停止跟踪所述持续时间。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中:
所述控制电路进一步基于预挂起程序电压来确定所述下一个程序电压。
4.根据权利要求3所述的非易失性存储器设备,其中:
所述控制电路基于所述预挂起程序电压减去基于所述程序操作被挂起的所述持续时间的电压来确定所述下一个程序电压。
5.根据权利要求3所述的非易失性存储器设备,其中:
所述控制电路将所述下一个程序电压确定为:所述预挂起程序电压加上基于单元状态的电压阶跃再减去基于所述程序操作被挂起的所述持续时间的电压。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中:
所述非易失性存储器设备包括固态驱动器(SSD)。
7.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中所述阵列包括NAND闪存阵列。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中所述控制电路和所述非易失性存储器单元的阵列通过开放式NAND闪存接口(ONFI)进行通信。
9.一种装置,包括:
包括处理器和固态驱动器(SSD)接口的主机;以及
经由所述主机的所述SSD接口与所述主机耦合的固态驱动器(SSD),所述固态驱动器包括:
非易失性存储器单元的阵列;
控制电路,用于挂起对所述阵列的程序单元的操作;以及
计时器,用于跟踪所述程序操作被挂起的持续时间;
控制电路,用于利用基于所述程序操作被挂起的所述持续时间的下一个程序电压来恢复所述程序操作。
10.根据权利要求9所述的装置,其中:
所述计时器响应于接收到指示程序挂起的信号而开始跟踪所述持续时间;以及
所述计时器响应于接收到指示程序恢复的信号而停止跟踪所述持续时间。
11.根据权利要求9所述的装置,其中:
所述控制电路进一步基于预挂起程序电压来确定所述下一个程序电压。
12.根据权利要求11所述的装置,其中:
所述控制电路基于所述预挂起程序电压减去基于所述程序操作被挂起的所述持续时间的电压来确定所述下一个程序电压。
13.根据权利要求11所述的装置,其中:
所述控制电路将所述下一个程序电压确定为:所述预挂起程序电压加上基于单元状态的电压阶跃减去基于所述程序操作被挂起的所述持续时间的电压。
14.根据权利要求9所述的装置,其中所述阵列包括NAND闪存阵列。
15.根据权利要求9所述的装置,其中所述控制电路和所述非易失性存储器单元的阵列通过开放式NAND闪存接口(ONFI)进行通信。
16.根据权利要求9所述的装置,其中所述SSD接口包括非易失性存储器高速(NVMe)接口。
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