[发明专利]一种μLED巨量转移方法

权利要求书

1.一种μLED巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：将待转移的μLED芯片按预设的间距有序排布成μLED芯片阵列；令设置有接触电极一面作为所述μLED芯片阵列的第一表面，该第一表面贴附于蓝膜上，另一面作为所述μLED芯片阵列的第二表面；

步骤S2：令μLED芯片阵列的第二表面通过光学减黏胶固化于一转移基板上，并撕下蓝膜；

步骤S3：令转移基板带有μLED芯片阵列的一面与驱动背板对准压合，使得μLED芯片阵列中的μLED芯片与驱动背板上的像素一一对应，并令μLED芯片阵列上的电极与驱动背板的电极粘合；

步骤S4：在转移基板没有μLED芯片阵列的一面放置发光点阵列，令发光点阵列中的发光点与μLED芯片阵列中的μLED芯片对应设置；根据所需转移的μLED芯片位置，选择相应的发光点将其点亮，使对应位置的减黏胶在光照作用下黏度减弱；

步骤S5：将转移基板与驱动背板分离，步骤S4中被光照的μLED芯片将与转移基板脱离，转移到驱动背板上，没有被光照过的μLED芯片将继续留在转移基板，等待下一次的转移；

步骤S6：重复步骤S3至步骤S5，直至驱动背板上的所有像素都转移有μLED芯片；

步骤S7：对转移有μLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与μLED芯片电极键合在一起；

所述发光点阵列包括μLED发光点阵或Micro-OLED发光点阵，每个发光点能够独立控制点亮和熄灭；

所述待转移的μLED芯片尺寸大于等于发光点尺寸，且一个μLED芯片对应发光点阵列中一个以上的发光点；

上述步骤具体表现为：

(一)利用金属有机化学气相沉积MOCVD制备GaN LED，并切割成像素大小为40μm，间距为60μm的μLED芯片阵列，将其有序地排列在蓝膜上，且设置有接触电极的第一表面与蓝膜接触，并将贴附有μLED芯片阵列的蓝膜放置于载物平台，芯片的第二表面朝上，通过调平系统使μLED芯片阵列放置水平；

(二)取一玻璃作为临时转移基板，利用涂胶模块在其上均匀涂覆UV照射减黏胶，然后将玻璃基板设置有光学减黏胶的一面朝下，与μLED芯片阵列的第二表面接触压平，并采用90℃加热10分钟使光学减黏胶固化，最后撕下蓝膜，使得μLED芯片转移到玻璃基板上；

(三)取一制备好的驱动背板，在其上做金凸点，并将驱动背板设置有像素电极的一面朝上放置于可加热载物平台上，调平；

(四)将步骤(二)得到的玻璃基板设置有μLED芯片的一面朝下，经过高精密四维位移系统和高精度对位系统精确对位后压合，驱动背板电极与μLED芯片电极通过一定方式粘合在一起；

(五)控制UV-micro LED上的发光像素，欲转移的μLED芯片所对应的位置为亮，不转移的对应位置为暗，UV-micro LED的单个像素大小为10μm，间距为15μm，即3个UV-micro LED像素对应一个μLED芯片；

(六)将UV-micro LED点亮一段时间，UV减黏胶在无氧或惰性气体环境下受到光照黏度会减弱，根据减黏胶的厚度、感光程度及UV-micro LED的光强决定照射时间，在5-20min之间；

(七)照射结束后，受照射的减黏胶黏性大大减弱，将玻璃基板与驱动背板分离，有被光照的μLED芯片将与玻璃基板脱离，转移到驱动背板上，没有被光照过的μLED芯片将继续留在玻璃基板，等待下一次的转移；

(八)重复步骤(四)至步骤(七)，在驱动背板上的所有像素位置转移μLED芯片；

(九)对转移有μLED芯片的驱动背板进行加热加压，使驱动背板电极与μLED芯片电极通过金属键合在一起。

2.根据权利要求1所述的一种μLED巨量转移方法，其特征在于，所述驱动背板包括TFT驱动背板或CMOS驱动背板，驱动背板上的像素间距和μLED芯片阵列上的间距相同或成倍数关系。

3.根据权利要求1所述的一种μLED巨量转移方法，其特征在于，所述减黏胶在热固化后、光照前对μLED芯片阵列的黏合力大于蓝膜对μLED芯片阵列的黏合力，在光照后的黏性减小，且其对μLED芯片阵列的黏合力小于驱动背板电极与μLED芯片阵列的电极的黏合力。