[发明专利]存储器装置在审
申请号: | 202010063966.5 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN112053722A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 尹敬和;金灿镐;郭判硕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/24;G11C5/06 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
提供了一种存储器装置,所述存储器装置包括:存储器单元阵列,设置在第一半导体层中,存储器单元阵列包括沿第一方向延伸并沿基本垂直于第一方向的第二方向堆叠的多条字线;以及多个传输晶体管,设置在第一半导体层中,其中,所述多个传输晶体管中的第一传输晶体管设置在所述多条信号线中的第一信号线与所述多条字线中的第一字线之间,并且其中,所述多条信号线与共源极线布置在同一水平处。
本申请要求于2019年6月5日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0066996号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
发明构思涉及一种存储器装置,更具体地,涉及一种具有外围上单元(cell overperiphery,COP)结构的非易失性存储器装置。
背景技术
随着信息通信装置变得更加多功能,需要高度集成并具有大容量的存储器装置。由于存储器单元的尺寸被减小以增加存储器装置的集成度,存储器装置的操作电路和/或布线结构已经变得复杂。因此,正在开发用于设计具有优良电学特性的高度集成的存储器装置的技术。特别地,为了增加存储器装置的集成度,可以增加沿垂直方向堆叠在基底上的字线的数量。然而,在这种情况下,连接到字线的传输晶体管的数量增加,因此芯片尺寸会增加。
发明内容
根据发明构思的示例性实施例,提供一种存储器装置,所述存储器装置包括:存储器单元阵列,设置在第一半导体层中,存储器单元阵列包括沿第一方向延伸并沿基本垂直于第一方向的第二方向堆叠的多条字线;以及多个传输晶体管,设置在第一半导体层中,其中,所述多个传输晶体管中的第一传输晶体管设置在所述多条信号线中的第一信号线与所述多条字线中的第一字线之间,其中,所述多条信号线与共源极线布置在同一水平处。
根据发明构思的示例性实施例,提供一种存储器装置,所述存储器装置包括:存储器单元阵列,包括沿垂直方向堆叠的多条字线;以及多个垂直传输晶体管,其中,所述多个垂直传输晶体管中的第一垂直传输晶体管包括在第一驱动信号线与所述多条字线中的第一字线之间沿垂直方向延伸的第一垂直沟道,其中,第一垂直沟道设置在第一字线的端部附近,并且其中,第一驱动信号线与共源极线布置在同一层中。
根据发明构思的示例性实施例,提供一种存储器装置,所述存储器装置包括第一半导体层,所述第一半导体层包括:存储器单元阵列,包括沿垂直方向堆叠的多条字线;以及多个传输晶体管,所述多个传输晶体管中的第一传输晶体管连接到驱动信号线,其中,驱动信号线连接到与地选择线布置在同一层上的栅极。
附图说明
通过参照附图详细地描述发明构思的示例性实施例,将更清楚地理解发明构思的以上和其它特征,在附图中:
图1是示出根据发明构思的示例性实施例的存储器装置的框图;
图2示出根据发明构思的示例性实施例的存储器装置的结构;
图3示出根据发明构思的示例性实施例的存储器单元阵列;
图4示出根据发明构思的示例性实施例的存储器块的等效电路;
图5示出根据发明构思的示例性实施例的行解码器和传输晶体管电路;
图6是示出根据发明构思的示例性实施例的包括图5的传输晶体管电路的存储器装置的剖视图;
图7是示出根据发明构思的示例性实施例的包括图5的传输晶体管电路的存储器装置的剖视图;
图8示出根据发明构思的示例性实施例的行解码器和传输晶体管电路;
图9是示出根据发明构思的示例性实施例的包括图8的传输晶体管电路的存储器装置的剖视图;
图10是示出根据发明构思的示例性实施例的包括图5的传输晶体管电路的存储器装置的俯视图;
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