[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底，包括包含存储胞的第1区域、包含控制所述存储胞的电路的第2区域、及将所述第1区域与所述第2区域分开的第3区域；

第1导电体层，在所述第2区域内设置于所述衬底的上方；

第1绝缘体层，包括在所述第2区域内设置于所述第1导电体层的上方的第1部分、及在所述第3区域内与所述衬底的表面接触并与所述第1部分连续地设置的第2部分，且所述第2部分将所述第1区域与所述第2区域分开。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1导电体层由所述衬底及所述第1绝缘体层包围。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层为氮化硅膜。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层的厚度在所述第1部分与所述第2部分之间大致均匀。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备：

第2绝缘体层，包括设置于所述第1导电体层与所述第1绝缘体层之间的部分、及沿着所述第1导电体层的侧壁设置的部分；且

所述第1绝缘体层的厚度比所述第2绝缘体层厚。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层的所述第2部分是将所述第2绝缘体层隔断而设置，且

所述第1绝缘体层与所述第2绝缘体层分别为氮化硅膜。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备触点，所述触点贯通所述第1绝缘体层且设置于所述第1导电体层上。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层的所述第2部分包围所述第1区域的周围。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层还包括第3部分，所述第3部分在所述第3区域内与所述衬底的表面接触，且与所述第1部分连续地设置，并且包围所述第2部分及所述第2区域。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备第2导电体层，所述第2导电体层在所述第3区域内设置于与所述第1导电体层相同的配线层，且由所述第1绝缘体层隔断。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

所述第1导电体层为晶体管的栅极电极，

所述第2导电体层为虚设晶体管的栅极电极。

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层还包括第4部分，且

所述第4部分以如下方式设置：与所述第1部分连续地设置，在所述第3区域内与所述衬底的表面接触且隔断所述第2导电体层，在所述衬底上与所述第2部分分离且包围所述第2部分。

13.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其还具备第3绝缘体层，所述第3绝缘体层设置于所述第1绝缘体层与所述第2导电体层之间，且掺杂有杂质。

14.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备：

多个第3导电体层，在所述第1区域内彼此在第1方向上分离而设置；及

第1半导体层，贯通所述多个第3导电体层而设置；且

所述第1半导体层与所述第3导电体层的交叉部分作为存储胞发挥功能。