[发明专利]一种碲化锌镉晶体的检测方法在审
申请号: | 202010065066.4 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN111157547A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 殷实;尹朝晖;尹朝蓉 | 申请(专利权)人: | 成都闰德芯传感器技术有限公司 |
主分类号: | G01N23/00 | 分类号: | G01N23/00;G01T7/00 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 谢毅 |
地址: | 610041 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碲化锌镉 晶体 检测 方法 | ||
本申请公开一种碲化锌镉晶体的检测方法,其测量出碲化锌镉晶体导通电流随偏执电压增加的曲线,将所述曲线的拐点对应的偏执电压Ve运用公式μτ=d2/Ve,其中,d为碲化锌镉晶体的厚度,μτ为电子迁移率寿命积。简化了测量碲化锌镉晶体的电子迁移率寿命积的测量方法。
技术领域
本发明涉及光电材料技术领域,具体涉及一种碲化锌镉晶体的检测方法。
背景技术
碲化锌镉是一种近年来被广泛研发的半导体电离辐射探测晶体材料。相比于其它闪烁体晶体探测材料,碲化锌镉的优点是其能量分辨率和探测灵敏度高。相比于其它半导体探测器材料例如硅或硒,它的优点是原子序数较高或者探测效率高。碲化锌镉的禁带宽度也高于高纯锗晶体,因而它可以不需要低温工作环境而直接可以在室温下运作。
碲化锌镉晶体的电离辐射性能检测是鉴别其性能的非常重要的步骤。其中,最重要的是其电导率和电子迁移率寿命积的测量。这两项指标直接标识碲化锌镉晶体的优劣程度。应用欧姆定律可直接测量碲化锌镉晶体探测器的电导率,这里从略。电子迁移率寿命积的测量往往需要复杂的电子设备如电荷灵敏放大器,多通道分析仪(MCA)放射性同位素源,以及复杂的数据分析等等。文献中报道的测试方法有Hecht方法以及TOF方法。具体文献参考K.Hecht,Z.Physik,77(1932)235和G.Arino-Estrada et al,Measurement of Mobilityand Lifetime of Electrons and holes in a Schottky CdTe Diode,J.Instrum.2014Dec 1;9:C12032。上述方法对于碲化锌镉晶体的测试方法过于复杂,如何用简单快速的方法将碲化锌镉电子迁移率寿命积进行测量是我们急需解决的问题。
发明内容
针对现有技术中所存在的不足,本发明提供了一种碲化锌镉晶体的检测方法,解决了碲化锌镉晶体电子迁移率寿命积问题。为实现上述目的,本发明采用了如下的技术方案:一种碲化锌镉晶体的检测方法,包括:
一种碲化锌镉晶体的检测方法,包括:
运用X-光照射碲化锌镉晶体,测量碲化锌镉晶体的偏执电压以及偏执电压对应的导通电流,利用作图法将偏执电压和导通电流制作成导通电流随偏执电压变化的曲线,并得到曲线的拐点,所述曲线的拐点对应的偏执电压为Ve;运用公式μτ=d2/Ve,得到电子迁移率寿命积μτ,其中,d为碲化锌镉晶体的厚度。
进一步的,所述碲化锌镉晶体处理方法为:
S1.将碲化锌镉晶体经过切割,打磨,制作成待测量的晶体块,晶体测试厚度d为0.5mm-5mm,晶体两端的测试电极面积为5mmx5mm;
S2.将晶体两端的测试电极用导线连接到电极;
S3.电极的测量回路中将保护电阻R、电流计A和可调高压电源HV进行串联。
进一步的,测量的具体方法为:
S4.使用X-光机照射所述测量电极负极对应的碲化锌镉晶体面;
S5.均匀的增大调整高压电源HV的偏执电压u,记录相应偏执电压下电流计A的导通电流i。
进一步的,所述X-光机为医用钼靶机,医用钼靶机输出的X-光是连续谱。
进一步的,所述X-光机输出的最大X-光能量为40kV;测量关闭X-光机时的矩形晶体块中的导通暗电流I1。
进一步的,所述作图法的具体步骤为:
(1).选用标纸有直角坐标纸,选择预设偏执电压精确度的整数倍作为坐标纸得标度;
(2).标点与连线:偏执电压以及偏执电压对应的导通电流对应的点用符号o在坐标纸上明确标出;连线(拟合图线)一定要用直尺或曲线尺等作图工具,把数据点连成光滑的直线;
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