[发明专利]一种二硫化锗材料的相变方法及其在相变存储领域应用有效
| 申请号： | 202010065707.6 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111129301B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张伟;韩成乾;王疆靖;王旭东;谭杰苓 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 王晶 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 材料 相变 方法 及其 存储 领域 应用 | ||
1.一种二硫化锗材料的相变方法，其特征在于，包括以下步骤；
选择二硫化锗材料作为相变存储材料；利用沿单轴方向加载应变的方法实现二硫化锗材料两相之间的转变；
其中沿着平行于层状结构的长轴方向加载单轴压应变可实现稳定相向正方相的相变，沿着y方向，即平行于层状结构的长轴方向加载单轴拉应变可实现正方相向稳定相的相变；
所述的相变存储材料具有单斜晶系的稳定相和正方晶系的高压相；二硫化锗材料为薄膜材料、块体材料、粉末材料及二维材料。
2.根据权利要求1所述的一种二硫化锗材料的相变方法，其特征在于，所述的二硫化锗材料的单斜晶系结构及正方晶系结构均以四面体为基本单元构成，其中单斜相中Ge-S键的键长分布在2.937Å-3.462Å的范围内，键角分布在108.2°-114.3°的范围内，正方相的键长则固定为3.493Å，键角只有113.6°与101.6°两种；单斜相与正方相在x方向的晶格参数相差不大，在y方向单斜相晶格参数比正方相大2.34Å，比例超过14%。
3.根据权利要求2所述的一种二硫化锗材料的相变方法，其特征在于，所述的单斜相的在y方向的杨氏模量为47.3GPa。
4.根据权利要求2所述的一种二硫化锗材料的相变方法，其特征在于，所述的单斜相为3.41eV的直接带隙，正方相则为2.22eV的间接带隙。
5.基于权利要求1所述的二硫化锗材料应用于相变存储器中，其特征在于，通过施加单轴拉/压应变实现二硫化锗材料在稳定相与正方相之间的相变，这两相具有较大的电学性能差异，能够实现逻辑值“0”和“1”的识别。
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