[发明专利]一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极及其制备方法

权利要求书

1.一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极制备方法，用于将套管电极的外圆柱面上加工仿生微织构，其仿生微织构为沿套管电极直线方向设置的直线型沟槽，

其特征在于，采用固体纳秒激光系统 ，其具体步骤为：

S1、将套管电极置于酒精中进行超声波清洗；

S2、将转速及转角可控的中空旋转夹持器固定在斜度可调的角度倾斜台上，然后将二者置于XYZR轴千分尺微调平台上，将XYZR轴千分尺微调平台安装在固体纳秒激光系统的工作台上；

S3、将套管电极通过中空旋转夹持器的三爪卡盘夹持；

S4、通过角度倾斜台和XYZR轴千分尺微调平台调整套管电极的轴线与激光扫描路径平行，同时保证XYZR轴千分尺微调平台的X轴与激光扫描方向平行；

S5、设定激光扫描长度，使激光镜头发射红光，调整XYZR轴千分尺微调平台的Y轴，使红光路径与套管电极最高端的母线重合；

S6、调整XYZR轴千分尺微调平台的X轴，使红光与套管电极端面间隔一段距离；

S7、调整固体纳秒激光系统镜头的高度，完成激光的对焦步骤；

S8、在固体纳秒激光系统中设定若干段长度的线段，线段之间具有轴向间距；

S9、按照激光参数加工出第1列第一类仿生微织构的直线型沟槽；

S10、通过中空旋转夹持器使套管电极旋转2π/n，按照激光参数加工出第2列第一类仿生微织构沟槽，n为8-16之间的整数；

S11、重复S10操作n-2次，完成第一类直线型仿生微织构的加工；

S12、通过中空旋转夹持器使套管电极旋转2π/2n，在固体纳秒激光系统中设定直线型沟槽长度，每段直线型沟槽之间具有轴向间距；

S13、按照激光参数加工出第1列第二类仿生微织构沟槽；

S14、通过中空旋转夹持器使套管电极旋转2π/n，按照优化的激光参数加工出第2列第二类仿生微织构沟槽；

S15、重复S14操作n-2次，完成第二类直线型仿生微织构的加工；

S16、将制备完成套管电极用细砂纸进行轻微的表面打磨，置于酒精中进行两次超声波清洗，以消除套管电极表面上的加工杂质。

2.如权利要求1所述的交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极制备方法，其特征在于，固体纳秒激光系统的加工参数如下：功率0.04 W、重复频率75 KHz、扫描速度400 mm/s、扫描次数2次。

3.如权利要求1所述的交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极制备方法，其特征在于，步骤S6中使红光与套管电极端面间隔距离为0.2-0.8mm。

4.如权利要求1所述的交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极制备方法，其特征在于，n=12。

5.一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极，由权利要求1-4任意一项的方法制备获得，其特征在于，一列第一类仿生微织构沟槽为12段长度为4.5mm的直线型沟槽，每段之间的轴向间距为0.5mm。

6.如权利要求5所述的交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极，其特征在于，一列第二类仿生微织构沟槽为首尾两端分别为一段2mm长的直线型沟槽，中间为11段长度为4.5mm的直线型沟槽，每段之间的轴向间距为0.5mm。

7.一种交错阵列仿生微织构脑部刺激套管电极，由权利要求1-4任意一项的方法制备获得，其特征在于，所述仿生微织构沟槽的宽度为13-23μm，深度为5-15μm。