[发明专利]曝光方法及离焦量测量方法有效

专利信息
申请号: 202010065822.3 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN113138545B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 李玉龙 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 王宏婧
地址: 201203 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 曝光 方法 离焦量 测量方法
【权利要求书】:

1.一种曝光方法,其特征在于,包括:

对掩模板进行分区,分为图形区和离焦标记区,所述离焦标记区位于所述图形区的边缘;

在所述掩模板的上方设置光阑,通过所述光阑使透过所述离焦标记区的光对光刻胶层的侧壁实现非对称照明,以及使透过所述图形区的光对所述光刻胶的曝光区实现对称照明,进而完成对所述光刻胶层的曝光。

2.如权利要求1所述的曝光方法,其特征在于,所述图形区呈矩形,所述离焦标记区包括第一标记区和第二标记区,所述第一标记区和所述第二标记区均呈矩形,且位于所述图形区相对的两侧。

3.一种离焦量测量方法,其特征在于,包括:

利用如权利要求1或2所述的曝光方法对目标光刻胶层完成曝光;

计算所述目标光刻胶层上发生衍射的+1级光和-1级光的非对称性,并根据计算结果及+1级光-1级光非对称性与离焦量的关系,计算曝光离焦量。

4.如权利要求3所述的离焦量测量方法,其特征在于,所述+1级光-1级光非对称性与离焦量的关系为线性关系,得到所述线性关系的方法包括:

在不同的离焦量下,分别利用如权利要求1或2所述的曝光方法对一测试光刻胶层进行曝光后,计算在所述测试光刻胶层上发生衍射的+1级光和-1级光的非对称性,对计算结果进行归一化处理,以得到所述线性关系。

5.如权利要求3所述的离焦量测量方法,测量所述目标光刻胶层上发生衍射的+1级光和-1级光的非对称性的方法包括:

根据照明光瞳相同位置处分别获得的+1级衍射光谱和-1级衍射光谱,比较+1级光和-1级光的信号强度;

根据所述信号强度的差值得到所述目标光刻胶层上发生衍射的+1级光和-1级光的非对称性。

6.一种离焦量测量方法,其特征在于,包括:

依次在用于承载目标光刻胶层的基底上和所述目标光刻胶层上设置第一套刻标记和第二套刻标记,且所述第一套刻标记和所述第二套刻标记同轴设置;

利用如权利要求1或2所述的曝光方法对所述目标光刻胶层完成曝光;

计算所述第一套刻标记和所述第二套刻标记的套刻误差,并根据计算结果及套刻误差与离焦量之间的关系,计算离焦量的大小。

7.如权利要求6所述的离焦量测量方法,其特征在于,建立套刻误差与离焦量之间的关系的方法包括:

依次在用于承载测试光刻胶层的基底上和所述测试光刻胶层上设置所述第一套刻标记和所述第二套刻标记;

在不同的离焦量下,分别利用如权利要求1或2所述的曝光方法对测试光刻胶层进行曝光后,测量所述第一套刻标记和所述第二套刻标记的套刻误差,进而根据所述不同的离焦量和所述不同的离焦量所对应的套刻误差,建立所述套刻误差与离焦量的关系。

8.如权利要求6所述离焦量测量方法,其特征在于,所述第一套刻标记包括第一子套刻标记和第二子套刻标记,在一基底上设置所述第一套刻标记后,形成有所述第一套刻标记的所述基底上形成的光刻胶层的两侧壁位置分别对应于所述第一子套刻标记和所述第二子套刻标记的位置。

9.如权利要求6所述的离焦量测量方法,其特征在于,计算所述第一套刻标记和所述第二套刻标记的套刻误差的方法包括:

分别计算在所述第一套刻标记和所述第二套刻标记上发生衍射的+1级光和-1级光的非对称性;

根据所述第一套刻标记和所述第二套刻标记上发生衍射的+1级光和-1级光的非对称性,计算所述第一套刻标记和所述第二套刻标记的套刻误差。

10.如权利要求6所述的离焦量测量方法,其特征在于,所述第一套刻标记和所述第二套刻标记为同周期的光栅。

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