[发明专利]3D存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，包括：

在第一衬底中形成氧化层，所述第一衬底包括第一表面和第二表面，所述氧化层靠近所述第一衬底的第一表面；

在所述第一衬底上形成存储单元和第一互联结构，得到存储单元阵列；

在第二衬底上形成第二互联结构，得到外部电路；

将所述存储单元阵列与所述外部电路键合得到3D存储器件；

沿所述第一衬底的第二表面对所述第一衬底减薄至所述氧化层，

其中，所述氧化层为所述第一衬底减薄过程中的停止层。

2.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述第一互连结构中具有多个第一外部焊盘，所述第二互连结构中具有多个第二外部焊盘。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述第一外部焊盘与所述第二外部焊盘彼此接触，从而实现所述CMOS电路与所述存储单元阵列之间的电连接。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一互连结构中具有多个第一半导体区，所述第二互连结构中具有多个第二半导体区。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述第一半导体区与所述第二半导体区彼此键合。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，通过离子注入工艺在所述第一衬底中形成所述氧化层。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，通过湿法蚀刻对所述第一衬底进行减薄。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，沿所述第一衬底的第二表面对所述第一衬底减薄至所述氧化层的步骤之后，还包括，

去除所述氧化层。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，在去除所述氧化层的步骤之后，还包括：

对所述第一衬底的第一表面进行平坦化处理。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在将所述存储单元阵列与所述外部电路键合和沿所述第一衬底的第二表面对所述第一衬底减薄至所述氧化层的步骤之间，还包括：

去除所述存储单元阵列和所述外部电路的边缘部分，

其中，所述外部电路的第二衬底的边缘部分去除一部分。

11.根据权利要求3或5所述的制造方法，其中，在所述第一衬底上形成存储单元和第一互联结构，得到存储单元阵列的步骤包括：

在所述第一衬底中形成公共源区；

在所述第一衬底上形成栅叠层结构和贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱；

在所述栅叠层结构上形成所述第二互连结构，所述第二互连结构包括接触焊盘、布线层、第一外部焊盘或第一半导体区和导电通道，

其中，所述多个沟道柱的第一端延伸至公共源区，第二端连接至相应的接触焊盘，所述多个层面的栅极导体分别连接至相应的接触焊盘。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述外部电路包括CMOS电路。