[发明专利]一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 202010065999.3 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN113140683B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 禹钢;王铁石 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 发光 器件 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本申请公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板,用以增强量子点层和电子传输层之间界面相互作用力,减少量子点层和电子传输层之间的界面缺陷,提高量子点器件的电致发光性能和稳定性。本申请实施例提供的一种量子点发光器件,所述量子点发光器件包括:量子点层以及与所述量子点层相邻的电子传输层;所述电子传输层包括第一基团,所述量子点层包括第二基团;所述第一基团和所述第二基团均包括亲水性基团;在所述量子点层与所述电子传输层之间的接触面,所述第一基团和所述第二基团通过氢键结合。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板。
背景技术
量子点是一种溶液可加工的半导体纳米晶体,具有发光光谱窄、发光波长可调控、光谱纯度高等优点,最有希望成为下一代发光器件的核心部分。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)就是将量子点作为发光层的制作材料,在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需要波长的光。QLED具有色域广、自发光、启动电压低、响应速度快、寿命长等优点。
但是,在现有技术提供的QLED成膜工艺形成的QLED器件中,量子点发光层与电子传输层之间的界面存在缺陷。
综上,采用现有技术成膜工艺形成的量子点发光器件在量子点传输层和电子传输层之间的界面存在缺陷,导致量子点发光器件的电致发光性能和稳定性差。
发明内容
本申请实施例提供了一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板,用以增强量子点层和电子传输层之间界面相互作用力,减少量子点层和电子传输层之间的界面缺陷,提高量子点器件的电致发光性能和稳定性。
本申请实施例提供的一种量子点发光器件,所述量子点发光器件包括:量子点层以及与所述量子点层相邻的电子传输层;所述电子传输层包括第一基团,所述量子点层包括第二基团;所述第一基团和所述第二基团均包括亲水性基团;在所述量子点层与所述电子传输层之间的接触面,所述第一基团和所述第二基团通过氢键结合。
可选地,所述第二基团包括下列基团之一或其组合:羟基、羧基、氨基。
可选地,所述量子点层还包括:第四基团。
可选地,所述第四基团包括下列基团之一或其组合:羧酸、胺、硫醇、有机氧化膦。
可选地,所述电子传输层还包括与所述第一基团配位的氧化锌纳米粒子;所述量子点层还包括与所述第二基团配位的量子点;所述第一基团包括:乙醇胺;所述第二基团包括:1-甲酸茚;在所述量子点层与所述电子传输层之间的接触面,所述乙醇胺和所述1-甲酸茚通过氢键结合。
本申请实施例提供的一种量子点发光器件的制备方法,所述方法包括:
在衬底之上形成包括第一基团的电子传输层以及形成包括第三基团的量子点层,其中,所述第一基团包括亲水性基团,所述第三基团包括亲油性基团;
光照所述量子点层以使所述第三基团分解为第二基团,其中,所述第二基团为亲水性基团,在所述量子点层与所述电子传输层之间的接触面,所述第一基团和所述第二基团通过氢键结合。
本申请实施例提供的量子点发光器件的制备方法,在衬底之上形成的电子传输层包括亲水性的第一基团,形成的量子点层包括亲油性的第三基团,从而可以避免电子传输层和量子点层的成膜工艺过程出现电子传输层与量子点层互溶;在形成电子传输层和量子点层之后,对量子点层进行光照,使得亲油性的第三基团光照分解为亲水性的第二基团,从而量子点层和电子传输层均包括亲水性基团,量子点层和电子传输层之间的界面亲水性基团可以通过氢键结合,从而可以减少量子点层和电子传输层之间界面的缺陷,提高量子点发光器件电致发光性能和稳定性。
可选地,所述形成包括第三基团的量子点层,具体包括:
提供量子点溶液,以及提供包括第三基团的第一配体;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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