[发明专利]一种多层掩膜层结构及其制备方法和MEMS器件

权利要求书

1.一种多层掩膜层结构，其特征在于，包括：

基层，以及，

依次层叠设置于所述基层上的至少三层掩膜层，其中，第n+1掩膜层的厚度为第n掩膜层的厚度的1.2-3倍，n为除0外的自然数。

2.根据权利要求1所述的多层掩膜层结构，其特征在于，所述基层为石英、AlN、ZnO、LiNbO₃、LiTaO₃、金属、陶瓷、玻璃和有机材质中的任意一种MEMS工艺的功能材质；

所述掩膜层为金属膜、陶瓷、玻璃或有机覆膜中的一种，所述金属膜为Au、Cr、Ti、Ni和W膜中的一种或两种形成的单层或双层金属膜。

3.根据权利要求2所述的多层掩膜层结构，其特征在于，所述基层为任意石英切型的石英材质。

4.根据权利要求2所述的多层掩膜层结构，其特征在于，所述掩膜层为Cr或Ti中的一种形成的辅助层与Au形成的金层组成的双层金属膜，所述辅助层在掩膜层靠近基层的一侧。

5.根据权利要求4所述的多层掩膜层结构，其特征在于，第n+1辅助层的厚度为第n辅助层厚度的1.3-3倍，第n+1金层的厚度为第n金层厚度的1.2-3倍；优选地，第一掩膜层内的第一辅助层厚度为5-50nm，第一金层厚度为50-500nm。

6.权利要求1-5任一权利要求所述的多层掩膜层结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：取表面平整的MEMS工艺的功能材质作为基层，进行清洗工艺和干燥工艺；

S2：在基层上镀覆三层或以上掩膜层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述清洗工艺为依次进行醇洗、碱洗、酸洗各15-25min，然后在去离子水中超声清洗8-15min，去离子水冲洗2-5min；

所述干燥工艺为先进行甩干，然后烘干。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述镀覆为使用溅射镀膜机镀覆，每次镀膜前进行活化工艺，每次镀覆完一层后进行退火工艺，并进行清洗工艺和干燥工艺。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述活化工艺为湿法活化或干法活化；

所述退火工艺中，镀覆完第一掩膜层后退火的第一退火温度为120-150℃，第一退火时间大于等于8小时，镀覆完最后一层掩膜层后退火的第二退火温度为80-100℃，第二退火时间大于等于24小时，镀覆完中间掩膜层的后退火的退火温度小于等于第二退火温度，退火时间小于等于第二退火时间。

10.一种MEMS器件，其特征在于，采用权利要求1-5任一权利要求所述的多层掩膜层结构。