[发明专利]一种二维超薄Fe3

权利要求书

1.一种二维超薄Fe₃O₄单晶纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将BiI₃粉末置于石英舟中，将石英舟放置于石英管上游第一加热区中心，将盖有自然氧化后的铁箔的基片置于石英管下游第二加热区中心；

步骤2：将石英管内部抽真空至1Pa以下，通入Ar气使管内气压保持常压环境，并持续通入Ar气作为载流气体；

步骤3：将第二加热区升温至370～450℃，保持10～60min，再将第一加热区升温至450～520℃，反应5～20min，反应结束后自然冷却至室温，取出基片，即可在基片上制备得到所述的二维超薄Fe₃O₄单晶纳米片。

2.如权利要求1所述二维超薄Fe₃O₄单晶纳米片的制备方法，其特征在于，步骤1所述BiI₃粉末的质量为1～20mg，所述基片为云母基片。

3.如权利要求1所述二维超薄Fe₃O₄单晶纳米片的制备方法，其特征在于，步骤1所述自然氧化后的铁箔为将铁箔放置于室温环境下1～2天后得到。

4.如权利要求1所述二维超薄Fe₃O₄单晶纳米片的制备方法，其特征在于，步骤2所述A r气的流速为10～75sccm。

5.一种如权利要求1～4任一权利要求所述制备方法得到的二维超薄Fe₃O₄单晶纳米片，其特征在于，厚度为1.95nm～100nm，尺寸为1～20μm，所述二维超薄Fe₃O₄单晶纳米片为三角形。

6.一种基于权利要求5所述二维超薄Fe₃O₄单晶纳米片制备光电探测器方法，其特征在于，将所述二维超薄Fe₃O₄单晶纳米片从基片上转移至Si/SiO₂衬底，然后通过电子束曝光和热蒸发制作电极。

7.如权利要求6所述制备光电探测器方法，其特征在于，所述电极包括1～10nm的Cr和10～100nm的Au。