[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底，包括包含记忆胞的第1区域、包含控制所述记忆胞的电路的第2区域、及划分所述第1区域与所述第2区域的第3区域；

多个第1导电体层，在所述第1区域内，相互分离地设于所述衬底的上方；

多个第2导电体层，相互分离地设于所述多个第1导电体层中的最上层的第1导电体层的上方；

第1半导体层，贯通所述多个第1导电体层及所述多个第2导电体层而设置；

第3导电体层，在所述第2区域内，设于所述衬底的上方；及

第1绝缘体层，包括在所述第2区域内设于所述第3导电体层的上方且比所述最上层的第1导电体层更靠上层的第1部分，及在所述第3区域内与所述衬底的表面接触、且与所述第1部分连续设置的第2部分，所述第2部分划分所述第1区域及所述第2区域。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1导电体层被所述衬底及所述第1绝缘体层包围。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层为氮化硅膜。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中进而具备：

接点，贯通所述第1绝缘体层，且设于所述第1导电体层上。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层的所述第2部分包围所述第2区域的周围。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述最上层的第1导电体层与所述多个第2导电体层中的最下层的第2导电体层之间的间隔分别大于所述多个第1导电体层中的邻接的第1导电体层间的间隔、及所述多个第2导电体层中的邻接的第2导电体层间的间隔。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1半导体层与所述多个第1导电体层的交叉部分、及所述第1半导体层与所述多个第2导电体层的交叉部分各自作为记忆胞发挥功能。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中具备：

第2绝缘体层，包括在所述第2区域内设于所述第1导电体层与所述第1绝缘体层之间的第3部分，及在所述第3区域内与所述衬底的表面接触、且与所述第3部分连续设置的第4部分，所述第4部分划分所述第1区域及所述第2区域。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层的所述第2部分包围所述第2绝缘体层的所述第4部分的周围。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述第2绝缘体层的厚度在所述第3部分与所述第4部分之间大致均匀。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述第1绝缘体层及所述第2绝缘体层各自为氮化硅膜。