[发明专利]一种半导体设备中的温控装置及半导体设备有效

专利信息
申请号: 202010067450.8 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN111276430B 公开(公告)日: 2023-02-14
发明(设计)人: 胡云龙 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;C23C16/46;C23C16/52
代理公司: 北京思创毕升专利事务所 11218 代理人: 孙向民;廉莉莉
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体设备 中的 温控 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体设备中的温控装置,用于控制反应基座(3)的温度,其特征在于,所述温控装置包括:

液体温度控制装置(6),用于承载温控液体并控制所述温控液体的温度,驱动所述温控液体在温控管路中流动;其中,

所述温控管路包括进液管路(4)、基座管路、出液管路(5);

所述基座管路设置在所述反应基座(3)中;

所述进液管路(4),连通所述基座管路和所述液体温度控制装置(6),且所述进液管路(4)上设有第一控制阀(V1-1);

所述出液管路(5),连通所述基座管路和所述液体温度控制装置(6),且所述出液管路(5)上设有第二控制阀(V1-2);

所述温控装置还包括:

分离缓存装置,连通所述出液管路(5),用于缓存所述温控液体。

2.根据权利要求1所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,所述分离缓存装置包括:储液装置(7)、排液管路;其中,

所述排液管路连通所述储液装置(7)和所述出液管路(5),所述排液管路上设有排液控制阀(V1-4)。

3.根据权利要求2所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括:

第一吹扫管路,连通所述进液管路(4),用于向所述进液管路(4)中通入吹扫气体,所述第一吹扫管路上设有第一进气控制阀(V1-3);

第一真空管路,连通所述储液装置(7),用于释放所述储液装置(7)内的压力。

4.根据权利要求3所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括:

第二吹扫管路,连通所述液体温度控制装置(6),用于向所述液体温度控制装置(6)中通入所述吹扫气体,所述第二吹扫管路上设有第二进气控制阀(V1-9)。

5.根据权利要求4所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括:

换液管路,连通所述储液装置(7),用于排出所述储液装置(7)中的所述温控液体,以及向所述储液装置(7)中通入所述温控液体,所述换液管路上设有第三控制阀(M1-1)。

6.根据权利要求5所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括:

第三吹扫管路,连通所述储液装置(7),用于向所述储液装置(7)内通入吹扫气体,所述第三吹扫管路设有第三进气控制阀(V1-5);

补液管路,连通所述储液装置(7)和所述液体温度控制装置(6),所述补液管路上设有补液控制阀(V1-8);

第二真空管路,连通所述液体温度控制装置(6),用于释放液体温度控制装置(6)内的压力。

7.根据权利要求6所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,所述补液管路位于所述储液装置(7)内的一端延伸至所述储液装置(7)的底部。

8.根据权利要求6所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括液位检测传感器,设置于所述液体温度控制装置(6)和/或所述储液装置(7)内。

9.根据权利要求6所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,所述第一控制阀(V1-1)、第二控制阀(V1-2)、排液控制阀(V1-4)、第一进气控制阀(V1-3)、第二进气控制阀(V1-9)、第三进气控制阀(V1-5)、补液控制阀(V1-8)均为自动控制阀门;

所述温控装置还包括:控制器,用于控制所述自动控制阀门开启或关闭。

10.一种半导体设备,其特征在于,包括反应腔室、设置在所述反应腔室中的反应基座(3)和根据权利要求1-9中任一项所述的温控装置。

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