[发明专利]一种半导体设备中的温控装置及半导体设备有效
申请号: | 202010067450.8 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN111276430B | 公开(公告)日: | 2023-02-14 |
发明(设计)人: | 胡云龙 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/46;C23C16/52 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 中的 温控 装置 | ||
1.一种半导体设备中的温控装置,用于控制反应基座(3)的温度,其特征在于,所述温控装置包括:
液体温度控制装置(6),用于承载温控液体并控制所述温控液体的温度,驱动所述温控液体在温控管路中流动;其中,
所述温控管路包括进液管路(4)、基座管路、出液管路(5);
所述基座管路设置在所述反应基座(3)中;
所述进液管路(4),连通所述基座管路和所述液体温度控制装置(6),且所述进液管路(4)上设有第一控制阀(V1-1);
所述出液管路(5),连通所述基座管路和所述液体温度控制装置(6),且所述出液管路(5)上设有第二控制阀(V1-2);
所述温控装置还包括:
分离缓存装置,连通所述出液管路(5),用于缓存所述温控液体。
2.根据权利要求1所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,所述分离缓存装置包括:储液装置(7)、排液管路;其中,
所述排液管路连通所述储液装置(7)和所述出液管路(5),所述排液管路上设有排液控制阀(V1-4)。
3.根据权利要求2所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括:
第一吹扫管路,连通所述进液管路(4),用于向所述进液管路(4)中通入吹扫气体,所述第一吹扫管路上设有第一进气控制阀(V1-3);
第一真空管路,连通所述储液装置(7),用于释放所述储液装置(7)内的压力。
4.根据权利要求3所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括:
第二吹扫管路,连通所述液体温度控制装置(6),用于向所述液体温度控制装置(6)中通入所述吹扫气体,所述第二吹扫管路上设有第二进气控制阀(V1-9)。
5.根据权利要求4所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括:
换液管路,连通所述储液装置(7),用于排出所述储液装置(7)中的所述温控液体,以及向所述储液装置(7)中通入所述温控液体,所述换液管路上设有第三控制阀(M1-1)。
6.根据权利要求5所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括:
第三吹扫管路,连通所述储液装置(7),用于向所述储液装置(7)内通入吹扫气体,所述第三吹扫管路设有第三进气控制阀(V1-5);
补液管路,连通所述储液装置(7)和所述液体温度控制装置(6),所述补液管路上设有补液控制阀(V1-8);
第二真空管路,连通所述液体温度控制装置(6),用于释放液体温度控制装置(6)内的压力。
7.根据权利要求6所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,所述补液管路位于所述储液装置(7)内的一端延伸至所述储液装置(7)的底部。
8.根据权利要求6所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,还包括液位检测传感器,设置于所述液体温度控制装置(6)和/或所述储液装置(7)内。
9.根据权利要求6所述的半导体设备中的温控装置,其特征在于,所述第一控制阀(V1-1)、第二控制阀(V1-2)、排液控制阀(V1-4)、第一进气控制阀(V1-3)、第二进气控制阀(V1-9)、第三进气控制阀(V1-5)、补液控制阀(V1-8)均为自动控制阀门;
所述温控装置还包括:控制器,用于控制所述自动控制阀门开启或关闭。
10.一种半导体设备,其特征在于,包括反应腔室、设置在所述反应腔室中的反应基座(3)和根据权利要求1-9中任一项所述的温控装置。
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