[发明专利]一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法

权利要求书

1.一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法，其特征在于它是按以下步骤完成的：

一、透射电子显微镜光阑固定与区域观察：

将透射电子显微镜光阑置于清洁的金属台上，用导电胶将光阑边缘固定，然后将载有光阑的金属台固定于FIB-SEM双束系统中，在电子束窗口下，利用二次电子确定光阑位置；

所述的透射电子显微镜光阑的透射圆孔被污染物堵塞；

二、透射电子显微镜光阑粗加工：

在离子束窗口下，在电压为10kV～30kV及电流为2.5nA～65nA的条件下进行层层粗加工2次或2次以上去除污染物，且每层粗加工的区域均为圆形区域，直至粗加工的圆形区域直径比透射电子显微镜光阑透射圆孔的孔径小20nm～100μm，即完成粗加工；

设第n次粗加工的圆形区域的直径为D1_n，电流为I1_n，设第n+1次粗加工的圆形区域的直径为D1_n+1，电流为I1_n+1，则D1_n+1＝(1.001～1.99)×D1_n，I1_n+1＝(0.1～0.9)×I1_n；所述的n≥1；

三、透射电子显微镜光阑细加工：

在离子束窗口下，在电压为10kV～30kV及电流为80pA～2.5nA的条件下进行层层细加工2次或2次以上去除污染物，且每层细加工的区域均为圆形区域，直至细加工的圆形区域直径比透射电子显微镜光阑透射圆孔的孔径小10nm～19nm，即完成细加工；

设第n次细加工的圆形区域的直径为D2_n，电流为I2_n，设第n+1次细加工的圆形区域的直径为D2_n+1，电流为I2_n+1，则D2_n+1＝(1.001～1.50)×D2_n，I2_n+1＝(0.1～0.9)×I2_n；所述的n≥1；

四、透射电子显微镜光阑精加工：

在离子束窗口下，在电压为10kV～30kV及电流为7pA～40pA的条件下进行层层精加工2次或2次以上去除污染物，且每层精加工的区域均为圆形区域，直至精加工的圆形区域直径与透射电子显微镜光阑透射圆孔的孔径相等，即完成聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法；

设第n次精加工的圆形区域的直径为D3_n，电流为I3_n，设第n+1次精加工的圆形区域的直径为D3_n+1，电流为I3_n+1，则D3_n+1＝(1.001～1.10)×D3_n，I3_n+1＝(0.1～0.5)×I3_n；所述的n≥1。

2.根据权利要求1所述的一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法，其特征在于：步骤一中所述的污染物占透射电子显微镜光阑的透射圆孔面积的覆盖率为2％～20％。

3.根据权利要求1所述的一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法，其特征在于：步骤一中在电子束窗口下，在电压为1kV～30kV及电流为1.3pA～5.5nA的条件下，利用二次电子确定光阑位置。

4.根据权利要求1所述的一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法，其特征在于：步骤一中所述的透射电子显微镜光阑为聚光镜光阑、物镜光阑或选区光阑。

5.根据权利要求1所述的一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法，其特征在于：步骤二中D1_n+1＝(1.04～1.99)×D1_n，I1_n+1＝(0.2～0.9)×I1_n。

6.根据权利要求1所述的一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法，其特征在于：步骤三中D2_n+1＝(1.02～1.50)×D2_n，I2_n+1＝(0.3～0.9)×I2_n。