[发明专利]一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法

说明书

本发明公开了一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法，该光刻胶剥离系统依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室。在剥离腔室完成光刻胶剥离后的基板进入清洗腔室，在清洗腔室先采用水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜覆盖在基板膜层表面，保证基板膜层表面残留光刻胶的流动性，并且在清洗腔室采用第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液。因此本发明在剥离腔室之后采用的清洗腔室可以防止从剥离腔室出来后的残留光刻胶和残留剥离液在风干作用下固化，而重新附着在基板表面，造成显示时白点不良的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法。

背景技术

在液晶显示器(LCD)有机发光二极管(OLED)等器件的制作过程中，诸如阵列基板上栅极、有源层、发光层等部件一般采用构图工艺制备。以构图形成栅极的图形为例进行说明，首先，在基板上形成金属薄膜，在金属薄膜上涂覆光刻胶，然后，对光刻胶进行曝光、显影处理，接着，对未覆盖光刻胶的金属薄膜进行刻蚀处理，最后，通过剥离基板上剩余的光刻胶，最终得到栅极的图形。

传统的光刻胶剥离技术主要有干式剥离、湿法剥离和超临界清洗，目前已知AMOLED厂商采用的Strip处理工艺均使用湿法有机溶剂剥离剂去除光刻胶，已知的光刻胶剥离工艺主要包括如下两种：

(1)Strip单元→干燥单元→TMAH单元→DI Water Rinse单元→Air Knife单元；

(2)Strip单元→干燥单元→DI Water Rinse单元→TMAH单元→DI Water Rinse单元→Air Knife单元。

在采用上述任一种光刻胶剥离工艺对基板上的光刻胶进行剥离处理时，基板会依次通过各单元，以上述处理工艺(1)为例，基板依次通过Strip单元→干燥单元→TMAH单元→DI Rinse单元→Air Knife单元，在基板通过Strip单元的过程中，设置在Strip单元内的喷头会向基板喷淋剥离液，以剥离基板上的光刻胶；在基板通过干燥单元的过程中，采用压缩干燥空气(CDA)对基板进行干燥同时去除剥离液；在基板通过TMAH单元的过程中，设置在TMAH单元内的喷头会向基板喷淋四甲基氢氧化铵溶液，以清洗基板上含杂质的清洗液；在基板通过DI Water Rinse单元的过程中，设置在DI Water Rinse单元的喷头会向基板喷淋去离子水，以清洗基板上含杂质的清洗液；在基板通过Air Knife单元的过程中，设置在AirKnife单元的气刀会向基板喷气，以清除基板上残留的清洗液。

具体地，Strip单元处理的基本原理如图1所示，主要有两个阶段，光刻胶放入Strip剥离液中，第一步:光刻胶在剥离液中形成溶胀胶状物，第二步:溶解的光刻胶聚合物分子分散到剥离液中。传统工艺在光刻胶聚合物分子分散到剥离液中后，先使用CDA对基板进行干燥同时去除剥离液，最后利用TMAH和DI Water清洗掉基板表面的剥离液和有机物残留，使膜层表面的光刻胶和有机物得到有效去除。

目前以上已知的光刻胶处理工艺均会造成光刻胶残留和有机物残留，主要原因为溶解的光刻胶聚合物分子分散到剥离液中后，干燥单元(CDA)虽然会去除含有光刻胶溶解物的溶液，但同时又会使已经溶解在剥离液中的光刻胶和有机物(剥离液)在风干作用下再次固化，并重新附着在基板膜层表面，如图2所示，光刻胶和有机物(剥离液)着在基板膜层表面在显示时会造成白点不良。

因此，如何避免已经溶解在剥离液中的光刻胶和有机物(剥离液)重新附着在基板膜层表面的问题，是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供的一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法，用以避免已经溶解在剥离液中的光刻胶和有机物重新附着在基板膜层表面的问题。

因此，本发明实施例提供了一种光刻胶剥离系统，依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室；其中，