[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备

说明书

本申请提供了三维存储器及其制备方法、电子设备。其中，三维存储器包括基体与电介质层。基体具有第一区与第二区，第一区连接第二区。电介质层设于基体的一侧，电介质层包括连接件与散热件，连接件连接基体。散热件包括第一散热部与第二散热部，第一散热部连接至少部分第二散热部，且第一散热部相较于第二散热部靠近基体设置。通过使第一散热部连接至少部分第二散热部，这样第二散热部在进行键合时会吸收大量热量，而当部分第二散热部吸收的热量过大时，可通过第一散热部将热量传导给其余的第二散热部，从而使第二散热部的热量分布均匀。本申请提供的三维存储器可有效防止在键合时局部热量过于集中，降低三维存储器的稳定性与使用寿命。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及三维存储器及其制备方法、电子设备。

背景技术

由于三维存储器的功耗低、质量轻、并且属于性能优异的非易失存储产品，在电子产品中得到了越来越广泛的应用。但同时用户对三维存储器的期望值与要求也越来越高。例如，用户希望三维存储器具有稳定的性能与较长的使用寿命。但目前在将存储阵列器件芯片和外围器件芯片键合在一起的时候会产生大量的热量，并且该热量分布不均就会导致局部热量过于集中，从而降低三维存储器的稳定性与使用寿命。

发明内容

鉴于此，本申请第一方面提供了一种三维存储器，所述三维存储器包括：

基体，所述基体具有第一区与第二区，所述第一区连接所述第二区；

电介质层，所述电介质层设于所述基体的一侧，所述电介质层包括连接件与散热件，所述连接件在所述基体上的正投影位于所述第一区内，所述散热件在所述基体上的正投影位于所述第二区内，所述连接件连接所述基体；所述散热件包括第一散热部与第二散热部，所述第一散热部连接至少部分所述第二散热部，且所述第一散热部相较于所述第二散热部靠近所述基体设置。

本申请第一方面提供的三维存储器，通过使第一散热部相较于第二散热部靠近所述基体设置，并控制第一散热部连接至少部分第二散热部，这样多个第二散热部在进行键合时会吸收大量热量，而当部分第二散热部吸收的热量过大时，可通过第一散热部将热量传导给其余连接的第二散热部，从而使第二散热部的热量分布均匀。本申请提供的三维存储器可有效防止在键合时局部热量过于集中，降低三维存储器的稳定性与使用寿命。

其中，所述第一散热部与所述基体间隔设置。

其中，所述电介质层还包括设置于所述连接件与所述散热件之间的绝缘件，所述连接件与所述散热件背离所述基体的一侧与所述绝缘件背离所述基体的一侧齐平。

其中，所述第一散热部上开设有通孔，所述通孔贯穿靠近所述第二散热部的表面以及背离所述第二散热部的表面。

其中，当所述通孔的数量为一个时，所述通孔呈蛇形、回字形，或环状排布；或者，当所述通孔的数量为多个时，所述多个通孔呈阵列排布。

其中，所述通孔的形状为多边形，当所述通孔的数量为多个时，所述第二散热部对应所述通孔的边与所述第一散热部连接。

其中，相邻的两个所述通孔之间连接有一个所述第二散热部。

其中，所述基体包括第一衬底、外围器件层、以及外围互联层，所述外围器件层设于所述第一衬底的一侧，所述外围互联层设于所述外围器件层背离所述第一衬底的一侧，且所述电介质层设于所述外围互联层背离所述第一衬底的一侧；

或者，所述基体包括第二衬底、存储阵列器件层、以及阵列互联层，所述存储阵列器件层设于所述第二衬底的一侧，所述阵列互联层设于所述存储阵列器件层背离所述第二衬底的一侧，且所述电介质层设于所述阵列互联层背离所述第二衬底的一侧。

本申请第二方面提供了一种电子设备，包括处理器和如本申请第一方面提供的三维存储器，所述处理器用于向所述三维存储器中写入数据和读取数据。