[发明专利]陶瓷金属化原料、陶瓷金属化的方法及金属化陶瓷

说明书

本发明公开了陶瓷金属化原料、陶瓷金属化的方法及金属化陶瓷。上述的陶瓷金属化原料，包括如下组分：Al₂O₃、Mo、Mn、SiO₂以及Y₂O₃；陶瓷金属化的方法包括如下步骤：将Al₂O₃、Mo、Mn、SiO₂以及Y₂O₃原料混合，得混合料；在所述混合料中加入溶剂，搅拌均匀，形成膏剂；将所述膏剂丝印到陶瓷的表面；将表面具有膏剂的所述陶瓷于1500℃‑1700℃进行烧结，烧结完成后保温，然后降至室温，得一次烧结品；将膏剂再次丝印到一次烧结品的表面；将表面具有膏剂的一次烧结品进行烧结，保温；金属化陶瓷由的陶瓷金属化的方法制成。本发明所述的陶瓷金属化原料，可将Al₂O₃含量99.5份以上的陶瓷材料金属化。

技术领域

本发明涉及陶瓷技术领域，具体涉及陶瓷金属化原料、陶瓷金属化的方法及金属化陶瓷。

背景技术

陶瓷金属化是在陶瓷表面牢固地粘附一层金属薄膜，使之实现陶瓷和金属间的焊接，现有钼锰法、镀金法、镀铜法、镀锡法、镀镍法、LAP法(激光后金属镀)等多种陶瓷金属化工艺。

对于Al₂O₃含量99份以下的陶瓷材料金属化工艺，现在的科技条件下已经普及化，利用陶瓷微观结构玻璃相迁移渗透和粉末冶金烧结机理，使金属材料与陶瓷结合。陶瓷玻璃相即是在陶瓷烧结过程中加入的烧结助剂(低温金属氧化物)，有助于陶瓷烧成，降低烧成温度。

而对于Al₂O₃含量99.5份以上的陶瓷材料，因Al₂O₃含量的增加，烧结助剂极少，陶瓷的优异性能更加明显，但因其陶瓷晶相细密，极少有玻璃相，金属化后强度较低，使得其金属化工艺较难实现。

随着科技的不断进步，陶瓷的应用领域在逐步扩大，现有99份以下的Al₂O₃陶瓷，不能满足高温、高导热绝缘材料及半导体器件基片等的更高要求。

发明内容

基于此，本发明有必要提供一种可将Al₂O₃含量99.5份以上的陶瓷材料金属化的陶瓷金属化原料。

本发明还提供一种陶瓷金属化的方法。

本发明还提供一种金属化陶瓷。

为了实现本发明的目的，本发明采用以下技术方案：

一种陶瓷金属化原料，包括如下组分：Al₂O₃、Mo、Mn、SiO₂以及Y₂O₃。

上述的陶瓷金属化原料，采用低含量Al₂O₃陶瓷配方中的低熔点金属氧化物SiO₂，增加了Mn含量和高熔点金属氧化物Y₂O₃，Mn与陶瓷发生化学反应，生成MnO·Al₂O₃尖晶石和MnO·SiO₂做为中间层，高熔点金属氧化物Y₂O₃做为填充物填充金属化层中的孔隙，保证其封接强度和致密性，从而在高含量Al₂O₃的陶瓷外表加上金属层，从而满足各个领域的使用要求。

其中一些实施例中，所述的陶瓷金属化原料，包括如下重量份的组分：Al₂O₃6份-12份、Mo45份-55份、Mn14份-28份、SiO₂6份-12份以及Y₂O₃9份-13份。