[发明专利]半导体发光二极管在审
| 申请号： | 202010068216.7 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111081833A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;张帆 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 | ||
1.一种半导体发光二极管，其特征在于，包括：
基板；
设于所述基板上的缓冲层；
设于所述缓冲层上的n型导电性半导体层；
设于所述n型导电性半导体层上的活性层；
设于所述活性层上的p型导电性半导体层；
与所述n型导电性半导体层电气连接的n型电极；以及
与所述p型导电性半导体层电气连接的p型电极；
所述活性层具有可调节铟含量的量子阱层与量子势垒层交替层叠1次以上的结构。
2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述量子阱层为InGaN，其中铟含量的调节范围为5~15%。
3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述基板由SiC、Si、GaN、ZnO、GaAs、GaP、LiAl2O3、BN及AlN中一种以上构成。
4.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述缓冲层为AlY(GaxIn1-X)1-YN，其中，0≤X≤1，0≤Y≤1。
5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述n型导电性半导体层以作为n型掺杂物质的Si、Ge或Sn掺杂。
6.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述活性层根据期望波长，利用Al、Ga、In中至少一种与N化合而成。
7.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述量子阱层与量子势垒层周期性地以5~20nm厚度交替层叠。
8.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述p型导电性半导体层由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN及InN中一种构成。
9.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述p型导电性半导体层以Mg掺杂。
10.根据权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述n型电极为负极，包含Cr和Au，或包含Ti、Al和Au；所述p型电极为正极，包含Cr和Au，或包含Ni和Au。
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