[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010069502.5 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN111509133A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 金善浩;金显;朴注灿;李善熙;池善范 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32;G09F9/33;G09F9/30 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括基板,所述基板包括平坦区域和与所述平坦区域相邻的第一弯折区域,
所述第一弯折区域向远离所述平坦区域的方向依次包括第一上方弯折部、第一延伸部、以及第一下方弯折部,
在所述平坦区域布置晶体管,
与所述晶体管电连接的发光元件位于所述平坦区域和所述第一上方弯折部,
所述发光元件包括弯折发光层,从而在所述平坦区域和所述第一上方弯折部显示影像,
位于所述第一弯折区域的无机连续膜的厚度比位于所述平坦区域的无机连续膜的厚度薄。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述无机连续膜包括阻挡层、缓冲层、第一绝缘层、以及第二绝缘层中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
在对应于所述平坦区域的部分,所述阻挡层和所述缓冲层依次位于所述基板上。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述晶体管包括半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、与所述栅电极电连接的源电极和漏电极。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述半导体层位于所述缓冲层上,
所述第一绝缘层位于所述半导体层上,
包括所述栅电极的栅极导电体位于所述第一绝缘层上,
所述第二绝缘层位于所述栅极导电体上,
包括所述源电极和所述漏电极的数据导电体位于所述第二绝缘层上。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
在对应于所述第一弯折区域的部分,在所述阻挡层和所述缓冲层形成有第一开口。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
在对应于所述第一下方弯折部的区域,在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层还形成有第二开口。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述第一开口和所述第二开口由第一保护层填充,
所述第一保护层包含有机物质。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述弯折发光层位于与所述平坦区域的一部分和所述第一上方弯折部的一部分对应的部分。
10.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述阻挡层和所述缓冲层的厚度之和为至
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一弯折区域以相邻的所述平坦区域的边为基准向所述平坦区域的下方弯曲。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一上方弯折部、所述第一延伸部以及所述第一下方弯折部以彼此相邻的边为基准弯折。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
沿着所述平坦区域的边缘还包括第二弯折区域、第三弯折区域、以及第四弯折区域中的至少一个。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,
所述第二弯折区域、所述第三弯折区域、以及所述第四弯折区域以相邻的所述平坦区域的边为基准向所述平坦区域的下方弯曲。
15.根据权利要求13所述的显示装置,其中,
弯折发光层位于所述第二弯折区域、所述第三弯折区域、以及所述第四弯折区域的一部分而显示影像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择