[发明专利]一种倒装薄膜LED芯片结构及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装薄膜LED芯片结构制备方法，其特征在于，包括：

提供晶圆级倒装LED芯片结构，所述晶圆级倒装LED芯片结构包括生长衬底、位于所述生长衬底上的外延结构、位于所述外延结构同侧，且与所述外延结构相应半导体层分别电性连接的第一电极和第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之外区域的第一绝缘层；

提供导电衬底，所述导电衬底包括导电基板，所述导电基板包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述导电基板第一表面的第一电极层；位于所述导电基板第二表面上相互绝缘的第一导电层和第二导电层，且所述第一导电层与所述导电基板电性连接，所述第二导电层与所述导电基板之间绝缘，其中，所述第二导电层的面积大于所述第二电极的面积；

将所述晶圆级倒装LED芯片结构与所述导电衬底电性连接，其中，所述第一电极与所述第一导电层对应设置，且电性连接；所述第二电极与所述第二导电层对应设置，且电性连接；所述第二导电层与所述第二电极连接的区域外的区域作为第二电极层，用于与外部电路连接；

去掉所述生长衬底；

对去除生长衬底的晶圆级倒装LED芯片结构表面进行粗化处理。

2.根据权利要求1所述的倒装薄膜LED芯片结构制备方法，其特征在于，所述提供晶圆级倒装LED芯片结构，具体包括：

提供生长衬底；

在所述生长衬底上依次生长第一型半导体层、发光层、第二型半导体层；

刻蚀所述第二型半导体层、所述发光层形成第一凹槽，填充所述第一凹槽，形成第一电极；

在所述第二型半导体层表面形成第二电极；

在所述第一电极和第二电极之外区域填充第一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的倒装薄膜LED芯片结构制备方法，其特征在于，所述提供导电衬底包括：

提供导电基板，所述导电基板包括相对设置的第一表面和第二表面；

在所述第一表面形成所述第一电极层；

在所述第二表面形成第二绝缘层；

去除部分第二绝缘层，在暴露出所述导电基板的区域形成第一导电层；

在剩余的第一绝缘层上的部分区域形成第二导电层。

4.根据权利要求3所述的倒装薄膜LED芯片结构制备方法，其特征在于，所述将所述晶圆级倒装LED芯片结构与所述导电衬底电性连接，具体包括：

将所述晶圆级倒装LED芯片结构的第一电极与所述第一导电层对位，将第二电极与第二导电层对位；

采用键合工艺将所述第一电极与所述第一导电层电性连接，将所述第二电极与所述第二导电层电性连接。

5.一种倒装薄膜LED芯片结构，其特征在于，采用权利要求1-4任意一项所述的倒装薄膜LED芯片结构制备方法制作形成，所述倒装薄膜LED芯片结构包括：

晶圆级倒装LED芯片结构，所述晶圆级倒装LED芯片结构包括外延结构，位于所述外延结构同侧，且与所述外延结构相应半导体层电性连接的第一电极和第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之外区域的第一绝缘层；所述外延结构背离所述第一电极和所述第二电极的表面为粗化表面；

导电衬底，所述导电衬底包括导电基板，所述导电基板包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述导电基板第一表面的第一电极层；位于所述导电基板第二表面上相互绝缘的第一导电层和第二导电层，且所述第一导电层与所述导电基板电性连接，所述第二导电层与所述导电基板之间绝缘；

其中，所述第一电极与所述第一导电层对应设置，且电性连接；所述第二电极与所述第二导电层对应设置，且电性连接；所述第二导电层的面积大于所述第二电极的面积，所述第二导电层与所述第二电极连接的区域外的区域作为第二电极层，用于与外部电路连接。

6.根据权利要求5所述的倒装薄膜LED芯片结构，其特征在于，所述第一电极与所述第一导电层之间通过金属键合工艺进行键合；

所述第二电极与所述第二导电层之间通过金属键合工艺进行键合。