[发明专利]发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010070420.2 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN111081836A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;张帆 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
基板；
在所述基板上形成的n型半导体层；
在所述n型半导体层的部分区域上形成的活性层；
在所述活性层上形成的，用于防止电子溢出的电子阻挡层；
在所述电子阻挡层上形成的空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成的p型半导体层；
与所述n型半导体层电性连接的n型电极；以及
与所述p型半导体层电性连接的p型电极；
所述空穴注入层具有越靠近所述p型半导体层越小的带隙能。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层包含p-AlGaN，所述空穴注入层包含InAlGaN。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层中，越靠近所述p型半导体层，铟含量越高。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层包含InxAlyGaN，其中，x的取值范围为0.1~10，y的取值范围为0.15~0.3。
5.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）在基板上形成n型半导体层；
2）在所述n型半导体层上形成活性层；
3）在所述活性层上形成电子阻挡层；
4）在所述电子阻挡层上形成空穴注入层；
5）在所述空穴注入层上形成p型半导体层；
6）蚀刻所述p型半导体层、所述空穴注入层、所述电子阻挡层及所述活性层的部分区域而使所述n型半导体层的部分区域露出；
7）形成与所述n型半导体层电性连接的n型电极；
8）形成与所述p型半导体层电性连接的p型电极；
所述步骤4在形成空穴注入层的过程中，调节所述空穴注入层的组成比，以使所述空穴注入层具有越靠近所述p型半导体层越小的带隙能。
6.根据权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述电子阻挡层包含p-AlGaN，所述空穴注入层包含InAlGaN。
7.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤4在电子阻挡层上形成空穴注入层的过程中，使所述空穴注入层的铟含量逐渐增加地层叠。
8.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤4，包括在所述电子阻挡层上层叠InxAlyGaN层，其中，x的取值范围为0.1~10，y的取值范围为0.15~0.3。
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