[发明专利]一种片层MWW分子筛及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种片层MWW分子筛的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)将硅源、铝源、第一模板剂和碱源溶于水中，进行晶化反应，得到第一产物；

b)将所述第一产物与溶膨剂和第二模板剂在水中进行反应，得到第二产物；

c)将所述第二产物与硅源液体混合后，进行水解反应，再将水解产物依次在惰性气氛和含氧气氛中焙烧，得到第三产物；

d)将所述第三产物与铵盐进行离子交换反应，再在含氧气氛中进行焙烧，得到片层MWW分子筛；

其中，所述溶膨剂为十二烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基溴化铵和/或十六烷基三甲基溴化铵。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述硅源选自气相二氧化硅、硅胶、硅酸钠、正硅酸乙酯和介孔二氧化硅中的一种或多种；

所述铝源选自铝酸钠、异丙醇铝、偏铝酸钠和硝酸铝中的一种或多种；

所述第一模板剂为六亚甲基亚胺和/或哌啶；

所述碱源选自氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化钡中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤a)所述硅源、所述铝源、所述第一模板剂、所述碱源和所述水的摩尔比为100：(2.2～10)：50：15.8：4400；

所述晶化反应的温度为135℃～140℃；

所述晶化反应的时间为7～11天。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b)所述第二模板剂为四丙基氢氧化铵；

所述第一产物、所述溶膨剂和所述第二模板剂的质量比为(1.8～2)：(9.37～11)：11。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)所述硅源液体选自正硅酸乙酯、二聚硅烷和二氯硅烷中的一种或多种；

步骤c)在惰性气氛中焙烧的温度为450℃～550℃，时间为5h～6h；

步骤c)在含氧气氛中焙烧的温度为500℃～550℃，时间为6h～12h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤d)所述铵盐选自硝酸铵、氯化铵和溴化铵中的一种或多种；

步骤d)所述焙烧的温度为450℃～550℃，时间为6h～12h。

7.一种片层MWW分子筛，其特征在于，由权利要求1至6任意一项所述制备方法制得。

8.根据权利要求7所述片层MWW分子筛，其特征在于，所述片层MWW分子筛的层间距为2.5nm～4.7nm。

9.权利要求1至6任意一项所述制备方法制得的片层MWW分子筛和/或权利要求7或8所述片层MWW分子筛作为烷基化反应催化剂的应用。

10.一种烷基化方法，其特征在于，将三甲苯与苯甲醇在催化剂的作用下进行烷基化反应，得到2-苄基-1，3，5-三甲基苯；

其中，所述催化剂为权利要求1至6任意一项所述制备方法制得的片层MWW分子筛和/或权利要求7或8所述片层MWW分子筛。