[发明专利]一种低温制备多晶硅膜材料的方法、得到的产品和用途

权利要求书

1.一种低温制备多晶硅膜材料的方法，其特征在于，所述方法包括：采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备多晶硅膜材料，气相沉积的温度为140～160℃，所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备的功率为700～800W；

将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，通入硅源、载体和保护气体，进行气相沉积，获得多晶硅膜材料，所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作压力为1～10Pa，所述气相沉积的速率为4～15nm/min，所述硅源的体积：载体和保护气体的总体积＝(0.01～0.1):1。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作压力为2～3Pa。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气相沉积的速率为8～10nm/min。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅源的体积：载体和保护气体的总体积为(0.04～0.06):1。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的真空度为3×10^-5～1×10^-6Pa。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述载体和保护气体皆为惰性气体。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述载体和保护气体各自独立的选自氖气、氪气、氮气和氩气中的任意一种或至少两种的混合。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述载体和保护气体的纯度皆大于99％。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述载体和保护气体的纯度皆大于99.99％。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为石英玻璃、金属或柔性薄膜衬底。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述衬底上存在金属薄膜或非金属薄膜。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述柔性薄膜衬底为聚酰亚胺柔性薄膜。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底在进行气相沉积前，进行如下预处理：用丙酮和酒精超声后，用去离子水清洗，然后干燥。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述用丙酮和酒精超声的时间为3～10min。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述用丙酮和酒精超声的时间为5～6min。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，抽真空使背底真空度为3×10^-5～1×10^-6Pa，加热衬底到140～160℃；

(2)按SiH₄气体：载体和保护气体的总体积比为(0.01～0.1):1，调整工作气压为1～10Pa，功率为700～800W，化学气相沉积速率为4～14nm/min；

(3)在保护性气体的气氛下，降至室温，得到所述的多晶硅膜材料。